集射极击穿电压(Vceo) | 50V | 集电极电流(Ic) | 100mA |
功率(Pd) | 300mW | 直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 100@10mA,5V |
最小输入电压(VI(on)@Ic/Io,Vce/Vo) | 750mV@5mA,0.3V | 最大输入电压(VI(off)@Ic/Io,Vce/Vcc) | 600mV@100uA,5V |
输入电阻 | 2.2kΩ | 电阻比率 | 21 |
工作温度 | -65℃~+150℃ |
概述 PUMD10,115 是一种高度集成的预偏压式数字晶体管,采用 SOT-363 封装。该器件内部集成了一个 NPN 和一个 PNP 晶体管,具有卓越的性能和可靠性,广泛应用于各种电子电路中。其最大集电极电流(Ic)可达 100mA,集射极击穿电压(Vce)为 50V,额定功率为 300mW,使其能够适应不同负载条件下的工作需求。
技术参数
封装规格 PUMD10,115 采用业界标准的 SOT-363 封装。这种封装非常适合表面贴装技术 (SMT),占用空间小,便于自动化组装,特别适合现代小型电子设备。SOT-363 封装拥有 6 个引脚,使其在确保足够功能的同时,保持了良好的散热性能。
应用场景 PUMD10,115 的设计使其适用于多种应用场景,包括但不限于:
品牌与供应 PUMD10,115 由安世半导体(Nexperia)制作,安世是一家全球领先的电子元件制造商,以其创新的产品和卓越的服务受到广泛认可。Nexperia 提供全面的技术支持和可靠的供应链,确保客户能够获得优质的产品,满足其设计需求。
总结 PUMD10,115 是一种设计优化的数字晶体管,结合了双极结构、强大的电气性能和紧凑的封装,是现代电子设计中的理想选择。无论是在工业、消费电子还是通讯领域,该器件均能够提供可靠的解决方案。通过利用其高集电极电流能力和出色的增益特性,工程师可以为各种应用设计出高效、可靠的电路,提高最终产品的市场竞争力。