PUMD15,115 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

PUMD15,115

商品编码: BM0000285412
品牌 : 
Nexperia(安世)
封装 : 
6-TSSOP
包装 : 
编带
重量 : 
1g
描述 : 
数字晶体管 300mW 50V 100mA 1个NPN-预偏置,1个PNP-预偏置 SOT-363
库存 :
7045(起订量1,增量1)
批次 :
2年内
数量 :
X
0.136
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.136
--
3000+
¥0.12
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述

PUMD15,115参数

晶体管类型1个NPN-预偏置,1个PNP-预偏置集射极击穿电压(Vceo)50V
集电极电流(Ic)100mA功率(Pd)200mW
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)30@10mA,5V最小输入电压(VI(on)@Ic/Io,Vce/Vo)1.9V@20mA,0.3V
最大输入电压(VI(off)@Ic/Io,Vce/Vcc)1.1V@100uA,5V输入电阻4.7kΩ
电阻比率1工作温度-65℃~+150℃

PUMD15,115手册

PUMD15,115概述

产品概述:PUMD15,115

基本信息

PUMD15,115是一种集成了NPN和PNP晶体管的数字预偏置型晶体管,专为低功耗应用而设计。其最大集电极电流(Ic)为100mA,工作电压允许高达50V,使其在多个电子项目中表现出色。PUMD15,115采用6-TSSOP封装形式,能够适应空间有限的应用,并且具有优雅的表面贴装(SMD)设计。

关键特性

  1. 晶体管类型:该产品集成了一个NPN和一个PNP晶体管,具有预偏置特性,简化了电路设计并提高了工作效率。
  2. 电流和电压规格
    • 最大集电极电流(Ic):100mA,确保在高负载条件下的稳定性。
    • 集射极击穿电压(Vce):最大50V,适用于多种电源电压等级的环境。
    • 额定功率:最大300mW,使其能够在相对高功率应用中可靠运行。
  3. 电流增益(hFE)
    • 在10mA和5V的工作条件下,最小DC电流增益(hFE)为30,这意味着在合理的基极电流(Ib)下可以获得显著的集电极电流(Ic),适合放大应用。
  4. 饱和压降
    • 在500µA和10mA的条件下,最大Vce饱和压降仅为150mV,确保在开关操作时的功率损耗极小,从而提高了整体能效。
  5. 电流截止特性
    • 最大集电极截止电流为1µA,显示出优越的关闭性能,尤其在待机状态下,能够有效降低功耗。

应用场景

PUMD15,115广泛应用于各种电路中,尤其是在需要低功耗、高效率的数字电路和开关电源的设计中。具体应用包括但不限于:

  • 数字信号开关:由于其快速的开关速度和低饱和压降,这种晶体管非常适合用于数字逻辑电路中的信号放大和开关功能。
  • 功率放大器:在音频放大和射频放大设计中,PUMD15,115可作为小信号放大器的一部分,提供必要的增益。
  • 电源管理:在各种电子设备的电源管理模块中,利用其低待机电流特性可以显著降低整体能耗。
  • 传感器接口:在微控制器和传感器之间的信号传递中,利用其高增益特性可以增强信号的传输。

封装与安装

PUMD15,115采用6-TSSOP封装,符合SC-88和SOT-363标准,适合表面贴装技术(SMT)设计。其小巧的尺寸使得它非常适合于紧凑型电路板布局,同时也为高密度集成提供了解决方案。表面贴装型的设计还简化了组装过程,提高了生产效率。

结论

PUMD15,115是一个集高性能、低功耗及空间效率于一体的优质数字预偏置型晶体管,适用于多种电子应用。其可靠的电气性能和极具竞争力的技术规格,使得它在现代电子设备中不可或缺,是许多设计工程师的首选元器件。通过在各类产品中的应用,PUMD15,115将帮助实现更高效、智能的电子设计,推动技术进步和产品创新。