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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册
RK7002BMT116
商品编码: BM0000285424
品牌 : 
ROHM(罗姆)
封装 : 
SST3(SOT-23-3)
包装 : 
编带
重量 : 
0.032g
描述 : 
表面贴装型-N-通道-60V-250mA(Ta)-200mW(Ta)-SST3
库存 :
82523(起订量1,增量1)
批次 :
2年内
数量 :
X
0.459
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.459
--
200+
¥0.153
--
1500+
¥0.0957
--
45000+
产品参数
产品手册
常见问题
产品参数
漏源电压(Vdss)60V连续漏极电流(Id)(25°C 时)250mA
栅源极阈值电压2.3V @ 1mA漏源导通电阻2.4Ω @ 250mA,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)200mW类型N沟道
FET 类型N 通道技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)60V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)250mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)2.5V,10V不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)2.4 欧姆 @ 250mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.3V @ 1mAVgs(最大值)±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)15pF @ 25VFET 功能-
功率耗散(最大值)200mW(Ta)工作温度150°C(TJ)
安装类型表面贴装型供应商器件封装SST3
封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
产品手册
常见问题

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