类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 60V |
连续漏极电流(Id) | 2.3A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 156mΩ@10V,2.3A |
功率(Pd) | 1.09W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 2.3nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 190pF@30V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 15pF@30V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
SI2308BDS-T1-GE3 是一款来自VISHAY(威世)的高性能N沟道MOSFET(场效应管),适用于多种电子应用。该器件采用SOT-23-3(TO-236)封装,具有出色的热性能和高效的开关特性,提供了卓越的电源管理能力。凭借其最大漏源电压(Vdss)为60V和连续漏极电流(Id)为2.3A的能力,该MOSFET非常适合用于高压及中等电流的电源转换、电机驱动和信号开关等应用。
SI2308BDS-T1-GE3采用SOT-23-3封装类型,这是一个设计紧凑、适合表面贴装(SMD)技术的封装,能够在空间限制严苛的应用中进行有效的布局。该封装形式具有良好的散热性能,能够提高器件的工作效率,尤其适合移动设备、便携式应用及其他对空间敏感的电子设备。
SI2308BDS-T1-GE3具有广泛的应用潜力,包括但不限于:
综合来看,SI2308BDS-T1-GE3是一款具备高可靠性和优良性能的N沟道MOSFET,凭借其低导通电阻、高电压处理能力和广泛的温度适应性,使其成为各种电源管理、驱动及开关应用的理想选择。无论是在消费电子、汽车电子,还是工业控制领域,SI2308BDS-T1-GE3都能为设计师提供优越的性能与灵活性。