SI2312BDS-T1-GE3 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

SI2312BDS-T1-GE3

商品编码: BM0000285479
品牌 : 
VISHAY(威世)
封装 : 
SOT-23-3(TO-236)
包装 : 
编带
重量 : 
0.035g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 750mW 20V 3.9A 1个N沟道 SOT-23
库存 :
5800(起订量1,增量1)
批次 :
2年内
数量 :
X
0.906
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.906
--
3000+
¥0.859
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

SI2312BDS-T1-GE3参数

类型1个N沟道漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)5A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)31mΩ@4.5V,5.0A
功率(Pd)750mW阈值电压(Vgs(th)@Id)850mV@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)12nC@4.5V输入电容(Ciss@Vds)7.5pF@1.8V
反向传输电容(Crss@Vds)1.2pF@10V工作温度-55℃~+150℃

SI2312BDS-T1-GE3手册

SI2312BDS-T1-GE3概述

产品概述:SI2312BDS-T1-GE3 N沟道MOSFET

一、产品简介

SI2312BDS-T1-GE3是一款高性能的N沟道MOSFET,专为通用应用设计,具备较低的导通电阻和高的电流承载能力,适合多种电子电路的应用,包括开关电源、音频放大、直流电机驱动以及各类控制电路。其小巧的SOT-23-3封装便于PCB布局,适合体积限制较小的设备。

二、关键参数

  • 漏源电压(Vdss): 20V
  • 连续漏极电流(Id,25°C时): 3.9A
  • 栅源极阈值电压(Vgs(th)): 850mV @ 250µA
  • 漏源导通电阻(Rds(on)): 31mΩ @ 5A, 4.5V
  • 功率耗散(Ta=25°C): 750mW
  • 工作温度范围: -55°C ~ 150°C
  • 封装类型: SOT-23-3(TO-236)

三、技术特性

  1. 优良的导通特性: SI2312BDS-T1-GE3在工作时表现出优异的导通性能,即使在较高的电流下,其漏源导通电阻(Rds(on))低至31mΩ,确保在开关过程中发热量小,提升了电路的整体效率和可靠性。

  2. 驱动电压范围: 此MOSFET的栅极驱动电压支持1.8V到4.5V,使其能够与宽范围的信号电平兼容,适用于低电压驱动的应用场景。

  3. 较低的栅极电荷: 该产品在4.5V下的栅极电荷(Qg)仅为12nC,意味着在高频开关应用中可以快速响应,减少开关延迟,提高开关频率,适应高效率的转换要求。

  4. 广泛的工作温度: SI2312BDS-T1-GE3的工作温度范围广泛,内置保护机制,使其在-55°C至150°C的环境下均能稳定工作,显示出良好的环境适应性。

四、应用领域

SI2312BDS-T1-GE3的多个关键参数使其在许多电子设备中得以广泛使用,包括:

  • 开关电源: 由于其低功耗和高效能,适合用于各种电源供应链的开关效率提升。
  • 电机驱动: 其良好的电流承载能力能够有效控制直流电机,确保启动和运行过程中的稳定性与可靠性。
  • 音频设备: 在音频放大器应用中,低失真和快速开关特性使得配合其他电路使用时能够有效提升音质。
  • 电源管理: 作为开关元件在电源管理IC中实现高效的电源切换特性,延长设备的使用寿命。

五、总结

SI2312BDS-T1-GE3是一款具有优良导通特性和宽应用范围的N沟道MOSFET。凭借其低导通电阻、高电流承载能力及广泛的工作温度范围,使其成为用户在设计电源管理、开关电源及其他功率控制电路时的重要选择。无论是新产品设计还是现有产品的性能改进,SI2312BDS-T1-GE3都能满足市场对高效能、高可靠性的产品需求。通过合理选用这种组件,可以助力设计工程师实现更高的设计目标和更优的产品性能。