类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 20V |
连续漏极电流(Id) | 5A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 31mΩ@4.5V,5.0A |
功率(Pd) | 750mW | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 850mV@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 12nC@4.5V | 输入电容(Ciss@Vds) | 7.5pF@1.8V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 1.2pF@10V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
一、产品简介
SI2312BDS-T1-GE3是一款高性能的N沟道MOSFET,专为通用应用设计,具备较低的导通电阻和高的电流承载能力,适合多种电子电路的应用,包括开关电源、音频放大、直流电机驱动以及各类控制电路。其小巧的SOT-23-3封装便于PCB布局,适合体积限制较小的设备。
二、关键参数
三、技术特性
优良的导通特性: SI2312BDS-T1-GE3在工作时表现出优异的导通性能,即使在较高的电流下,其漏源导通电阻(Rds(on))低至31mΩ,确保在开关过程中发热量小,提升了电路的整体效率和可靠性。
驱动电压范围: 此MOSFET的栅极驱动电压支持1.8V到4.5V,使其能够与宽范围的信号电平兼容,适用于低电压驱动的应用场景。
较低的栅极电荷: 该产品在4.5V下的栅极电荷(Qg)仅为12nC,意味着在高频开关应用中可以快速响应,减少开关延迟,提高开关频率,适应高效率的转换要求。
广泛的工作温度: SI2312BDS-T1-GE3的工作温度范围广泛,内置保护机制,使其在-55°C至150°C的环境下均能稳定工作,显示出良好的环境适应性。
四、应用领域
SI2312BDS-T1-GE3的多个关键参数使其在许多电子设备中得以广泛使用,包括:
五、总结
SI2312BDS-T1-GE3是一款具有优良导通特性和宽应用范围的N沟道MOSFET。凭借其低导通电阻、高电流承载能力及广泛的工作温度范围,使其成为用户在设计电源管理、开关电源及其他功率控制电路时的重要选择。无论是新产品设计还是现有产品的性能改进,SI2312BDS-T1-GE3都能满足市场对高效能、高可靠性的产品需求。通过合理选用这种组件,可以助力设计工程师实现更高的设计目标和更优的产品性能。