类型 | 1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 150V |
连续漏极电流(Id) | 690mA | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 1.2Ω@10V,0.5A |
功率(Pd) | 750mW | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.5V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 7.7nC@75V | 输入电容(Ciss@Vds) | 510pF@25V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 16pF@25V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
SI2325DS-T1-GE3 是由VISHAY(威世)公司生产的一款P沟道场效应管(MOSFET),其在高电压和中等电流应用中表现优异。该器件专为需要高效能和紧凑封装的应用场合而设计,适合在各种电子产品中用作开关和放大器。该产品采用SOT-23-3 (TO-236)封装形式,使其在电路设计中具备良好的通用性和适配性。
SI2325DS-T1-GE3的关键电气特性为其在特定工作条件下的表现。在10V的驱动电压下,该器件的最大Rds(on)为1.2Ω,当电流为500mA时,能有效地降低功率损耗。进一步地,其最大栅极电荷(Qg)为12nC @ 10V,使得快速开关能力得到提升。
SI2325DS-T1-GE3因为其优异的高压特性和相对较高的工作电流,非常适合用于:
SI2325DS-T1-GE3采用SOT-23-3(TO-236)封装,具有小型轻便的优点,适合在空间有限的电路板上进行安装。其表面贴装型的设计,也让其在自动化生产线上的使用变得更加便利,适应了现代SMT(表面贴装技术)的需求。
SI2325DS-T1-GE3 是一款高效能P沟道MOSFET,结合了高耐压、合适的漏极电流、低导通电阻和宽广的工作温度范围,适合各种关键电子设备和系统中使用。无论是在功率管理、电机驱动,还是电池管理等领域,该元器件均可以确保良好的电能利用效率并延长设备的使用寿命。通过其紧凑的封装形式和优异的电气特性,SI2325DS-T1-GE3 是现代电子设备中不可或缺的核心元件之一。