SI2325DS-T1-GE3 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

SI2325DS-T1-GE3

商品编码: BM0000285480
品牌 : 
VISHAY(威世)
封装 : 
SOT-23-3(TO-236)
包装 : 
编带
重量 : 
0.04g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 750mW 150V 530mA 1个P沟道 SOT-23
库存 :
1199(起订量1,增量1)
批次 :
2年内
数量 :
X
1.73
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.73
--
3000+
¥1.64
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

SI2325DS-T1-GE3参数

类型1个P沟道漏源电压(Vdss)150V
连续漏极电流(Id)690mA导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)1.2Ω@10V,0.5A
功率(Pd)750mW阈值电压(Vgs(th)@Id)2.5V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)7.7nC@75V输入电容(Ciss@Vds)510pF@25V
反向传输电容(Crss@Vds)16pF@25V工作温度-55℃~+150℃

SI2325DS-T1-GE3手册

SI2325DS-T1-GE3概述

产品概述:SI2325DS-T1-GE3 P沟道MOSFET

1. 产品简介

SI2325DS-T1-GE3 是由VISHAY(威世)公司生产的一款P沟道场效应管(MOSFET),其在高电压和中等电流应用中表现优异。该器件专为需要高效能和紧凑封装的应用场合而设计,适合在各种电子产品中用作开关和放大器。该产品采用SOT-23-3 (TO-236)封装形式,使其在电路设计中具备良好的通用性和适配性。

2. 基本参数

  • 漏源电压(Vdss): 最大150V,适合用于高压电源和开关应用。
  • 连续漏极电流(Id): 在25°C时额定530mA,适合于中等电流的控制和开关电路。
  • 栅源极阈值电压(Vgs(th)): 4.5V @ 250µA,保证在低电压条件下启动。
  • 漏源导通电阻(Rds(on)): 最大为1.2Ω @ 500mA,10V,有助于降低功耗和提高效率。
  • 最大功率耗散: 750mW(在环境温度25°C下),能够有效控制热量产生。
  • 工作温度范围: 从-55°C到150°C(TJ),在各种温度条件下维持稳定性能。

3. 电气特性

SI2325DS-T1-GE3的关键电气特性为其在特定工作条件下的表现。在10V的驱动电压下,该器件的最大Rds(on)为1.2Ω,当电流为500mA时,能有效地降低功率损耗。进一步地,其最大栅极电荷(Qg)为12nC @ 10V,使得快速开关能力得到提升。

4. 应用场景

SI2325DS-T1-GE3因为其优异的高压特性和相对较高的工作电流,非常适合用于:

  • 电源管理: 作为高效能的开关元件,能够控制电源的开关状态。
  • 马达驱动电路: 在驱动直流电动机时,可以有效减少能量损失。
  • 电池管理系统: 在电池充放电过程中,黄金开关可以确保高效能和优良的电源控制。
  • 负载开关: 在各种电子产品中用作精确的负载开关,以管理电源的有效转化和利用。

5. 封装与安装

SI2325DS-T1-GE3采用SOT-23-3(TO-236)封装,具有小型轻便的优点,适合在空间有限的电路板上进行安装。其表面贴装型的设计,也让其在自动化生产线上的使用变得更加便利,适应了现代SMT(表面贴装技术)的需求。

6. 结论

SI2325DS-T1-GE3 是一款高效能P沟道MOSFET,结合了高耐压、合适的漏极电流、低导通电阻和宽广的工作温度范围,适合各种关键电子设备和系统中使用。无论是在功率管理、电机驱动,还是电池管理等领域,该元器件均可以确保良好的电能利用效率并延长设备的使用寿命。通过其紧凑的封装形式和优异的电气特性,SI2325DS-T1-GE3 是现代电子设备中不可或缺的核心元件之一。