SI3430DV-T1-GE3

SI3430DV-T1-GE3 产品概述

概述

SI3430DV-T1-GE3 是由知名电子元器件制造商 VISHAY（威世）推出的一款高性能 N 通道 MOSFET。其设计专门针对需要高效率和高可靠性的应用，以满足现代电子设备日益增长的功率和性能要求。该组件采用 SOT-23-6 细型封装，支持表面贴装技术（SMT），使其在自动化生产和紧凑型电路设计中尤为适用。

主要特性

1. 电压与电流规格：

   • 漏源极电压（Vdss）：最高可达 100V，非常适合用于高压应用，例如电源管理和逆变器系统。
   • 持续漏极电流（Id）：在 25°C 时可达 1.8A，为电路提供稳定的电流输出。
   • 最大脉冲电流（Idm）：在特定条件下可支持高达 8A 的瞬时脉冲电流，方便处理瞬态负载的需求。

2. 导通电阻和功率耗散：

   • 导通电阻（Rds(on)）：在 10V 的栅源电压下，最大导通电阻为 170毫欧，这意味着在工作状态时低功耗，高效率，显著降低电能损耗。
   • 最大功率耗散：可达到 1.14W，具备良好的热管理能力，适合各种工业应用。

3. 工作温度范围：

   • 该 MOSFET 的工作温度范围为 -55°C 至 150°C，显示出其在严酷环境中仍能稳定运作的能力，适合于汽车、工业和消费电子等多种应用环境。

4. 驱动电压与栅极特性：

   • 驱动电压不仅支持 6V 和 10V，确保在不同的工作情况都能实现最佳性能。
   • 栅极阈值电压（Vgs(th)）：最大值为 2V @ 250µA，确保 MOSFET 迅速进入导通状态，并且具备较低的开关损耗。
   • 栅极电荷（Qg）：在 10V 时最大为 6.6nC，其低栅电荷特性使其能在高频开关应用中表现优秀，减少开关损耗和提高效率。

应用领域

SI3430DV-T1-GE3 MOSFET 可广泛应用于以下领域：

• 电源管理：在DC-DC转换器、开关电源和充电器中作为主开关，提供高效的电源转换。
• LED驱动：在LED照明应用中，可以用作驱动开关，优化光效和延长使用寿命。
• 电机控制：适合用于电机驱动器和控制系统，提供可靠的电流管理和高效控制。
• 汽车电子：在汽车电子产品中，包括电池管理系统、逆变器等，符合汽车行业的高标准要求。

结论

凭借其优异的性能参数和宽泛的应用范围，SI3430DV-T1-GE3 N 通道 MOSFET 不仅提供了高电压和高电流的支持，还优越的热性能和环境适应性，使其成为现代电子设计中不可或缺的重要元件。VISHAY（威世）以其在电子元器件制造上的深厚经验，保障了该产品的高可靠性和稳定性，确保满足各行业的应用需求，为工程师在进行电路设计时提供更多可能性。