类型 | 1个N沟道+1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 30V |
连续漏极电流(Id) | 2.5A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 105mΩ@10V,2.5A |
功率(Pd) | 1.15W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1V@250uA |
SI3552DV-T1-E3 是由Vishay(威世)生产的一款高性能场效应管(MOSFET),装配于紧凑的6-TSOP封装中。这款器件结合了N沟道和P沟道MOSFET的优点,广泛应用于各种电子与电气设备中,适用于逻辑电平门的开关控制。
多功能性: SI3552DV-T1-E3 具备一个N沟道和一个P沟道的配置,使其能够在多种电路设计中承担不同的功能。例如,在电源开关、信号开关及功率管理等应用中均能高效运作,极大地提高设计的灵活性。
电气性能:
开关特性:
功率和温度范围: 这款MOSFET的最大功率为1.15W,能够在各种工作条件下正常运作。此外,其工作温度范围为-55°C到150°C,使其在极端环境下也能保持稳定性能,这一点尤其适合高温或低温的工业应用。
表面贴装类型: 采用6-TSOP封装,体积小巧、重量轻,适合现代电子设备对空间和重量的苛刻要求。表面贴装的设计也使得生产效率提高,便于自动化装配。
SI3552DV-T1-E3广泛应用于电源管理、开关电源、照明控制及各种信号控制电路中。同时,因其具备高可靠性与耐高温的特点,也理想用于汽车电子、工业控制设备及消费电子产品。这款MOSFET特别适合于需要高频率转换和低开关损耗的设计需求,使其在现代电子元件中的应用价值不言而喻。
Vishay的SI3552DV-T1-E3是一款性能卓越、功能多样的场效应管,凭借其出色的电气参数和宽广的工作条件,确保其在多种电子应用中的稳定性和可靠性。无论是在消费电子、工业自动化,还是汽车电子领域,这款MOSFET都能够为设计工程师提供出色的解决方案,值得广泛采用。