SI4626ADY-T1-E3
SI4626ADY-T1-E3参数
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm宽） | FET类型 | N沟道 |
| 漏源极电压（Vdss） | 30V | 安装类型 | 表面贴装(SMT) |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 30A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 3.3 毫欧 @ 15A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 125nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 5370pF @ 15V |
| 功率耗散（最大值） | 3W（Ta），6W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
SI4626ADY-T1-E3手册
SI4626ADY-T1-E3概述
SI4626ADY-T1-E3 产品概述
产品简介
SI4626ADY-T1-E3 是由威世半导体（VISHAY）推出的一款高性能 N 型 MOSFET，广泛应用于各种电子设备中，尤其适合功率转换、电机驱动和开关电源等领域。该器件采用 8-SOIC (0.154", 3.90mm 宽) 封装，能够实现表面贴装(SMT)的便捷安装，极大地施展出其在空间受限系统中的应用优势。
主要规格
漏源极电压 (Vdss): 该 MOSFET 支持最大漏源极电压为 30V，确保其在多种电压环境下的稳定工作。这使其能够在低到中电压水平的应用中发挥出色性能，特别是在电源管理和驱动电路中。
连续漏极电流 (Id): 在 25°C 的环境下，该器件的连续漏极电流为 30A，进一步增强了其做为功率控制组件的能力。随着设备工作温度的提高，需特别注意晶体管的散热设计，以避免过度热量对器件性能的影响。
导通电阻 (Rds On): 在 10V 的栅极电压下，其最大导通电阻为 3.3毫欧（@ 15A），这个低导通电阻确保在工作时的功耗降到最低，提升了整机能效。
门源极电压 (Vgs): 最大门源极电压为 ±20V，适用的驱动电压范围为 4.5V至10V，广泛兼容各种驱动电路设计，实现更大的设计灵活性和兼容性。
输入电容 (Ciss): 在 15V 的条件下，其最大输入电容为 5370pF，表明该器件具有较低的输入电流延迟，有助于快速开关操作。
栅极电荷 (Qg): 在 10V 的驱动下，栅极电荷为 125nC，这样的特性可以有效提高开关频率，优化设备运行效率。
工作温度范围: 它能在 -55°C 至 150°C 的环境温度下稳定工作，使其在高温或低温应用场景中依然可靠。
功率耗散: 该器件具有最大功率耗散为 3W(Ta)和 6W(Tc)，在设计上要考虑散热解决方案以确保其稳定运行，尤其是在连续大电流的应用场合。
应用场景
由于其突出的电气特性，SI4626ADY-T1-E3 可广泛应用于以下领域：
- 电源管理：在开关电源和DC-DC转换器中，SI4626ADY-T1-E3 能有效降低能耗，提高转换效率。
- 电机驱动：在电机控制电路中，MOSFET可以用作开关元件，通过精确控制电流实现电机的启停与换速。
- 通信设备：可用于RF放大器和其他高频电路，为电子设备的处理和传输提供可靠的开关功能。
结论
综上所述，威世 SI4626ADY-T1-E3 N 型 MOSFET 以其优良的电气性能和宽广的工作温度范围成为现代电子设备不可或缺的重要元件。无论是在高压伺服应用、电源转换模块还是电机控制方面，这款器件都能够提供卓越的性能和耐用性，助力设计师优化产品设计，提高整体系统的可靠性和效率。选择 SI4626ADY-T1-E3，您将为您的项目赋予更多的可能性。