类型 | 2个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 30V |
连续漏极电流(Id) | 5.8A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 40mΩ@5A,10V |
功率(Pd) | 1.7W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.2V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 9nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 325pF@15V |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
SI4936CDY-T1-E3 是由 VISHAY(威世)公司推出的一款高性能双N沟道场效应管(MOSFET),采用8-SOIC封装。这款MOSFET的设计旨在满足现代电子电路对高效能和小型化的需求,特别适用于各种低电压、高电流应用,如功率管理、开关电源和负载开关等领域。
类型与结构:
电气特性:
导通电阻:
阈值电压(Vgs(th)):
输入电容:
栅极电荷(Qg):
功率损耗:
工作温度范围:
SI4936CDY-T1-E3采用8-SOIC(0.154",3.90mm宽)封装,表面贴装(SMT),适合现代电子设备中日益紧凑的布局设计,简化了安装流程,同时降低了生产成本。其封装设计能够提供优良的热传导性能,确保在高功率条件下的稳定运行。
由于其卓越的性能,SI4936CDY-T1-E3广泛应用于多个领域,包括但不限于:
SI4936CDY-T1-E3是一个集高性能与小型化于一体的双N沟道MOSFET,凭借其低导通电阻、高连续电流和广泛的工作温度范围,在现代电子电路设计中发挥着重要的作用。无论是在工业应用还是消费电子领域,其出色的电气性能和热管理能力都使得它成为了一个理想的选择。其卓越的特性为设计师提供了更大的灵活性和创新空间,是提升电子产品效率与可靠性的强大工具。