SI7114DN-T1-E3 产品实物图片
SI7114DN-T1-E3 产品实物图片
商品图片1
商品图片2
商品图片3
注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

SI7114DN-T1-E3

商品编码: BM0000285494
品牌 : 
VISHAY(威世)
封装 : 
PowerPAK® 1212-8
包装 : 
编带
重量 : 
0.066g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 1.5W 30V 11.7A 1个N沟道 PowerPAK1212-8
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
10+
数量 :
X
3.83
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥3.83
--
3000+
¥3.68
--
18000+
产品参数
产品手册
产品概述

SI7114DN-T1-E3参数

类型1个N沟道漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)11.7A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)7.5mΩ@10V,18.3A
功率(Pd)1.5W阈值电压(Vgs(th)@Id)3V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)19nC@4.5V工作温度-55℃~+150℃@(Tj)

SI7114DN-T1-E3手册

SI7114DN-T1-E3概述

产品概述:SI7114DN-T1-E3 N沟道MOSFET

产品简介

SI7114DN-T1-E3 是一款高性能的N沟道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),由VISHAY(威世)公司制造。该器件设计用于高效率开关应用,适用于多种电子电路设计,包括DC-DC转换器、功率管理和高速开关电路。它具有优良的导电性能和散热能力,能够满足现代电子设备对小型化和高效能的需求。

关键参数

  • 漏源电压 (Vdss): 30V
  • 连续漏极电流 (Id) (25°C 时): 11.7A
  • 栅源极阈值电压 (Vgs(th)): 3V @ 250μA
  • 漏源导通电阻 (Rds(on)): 7.5mΩ @ 18.3A, 10V
  • 最大功率耗散: 1.5W (Ta = 25°C)
  • 工作温度范围: -55°C ~ 150°C
  • 封装类型: PowerPAK® 1212-8

电气特性

SI7114DN-T1-E3 的漏源电压(Vdss)为30V,使其适合于较高电压的应用场合。具体来说,其连续漏极电流(Id)在25°C时可达到11.7A,展现出出色的载流能力。这些电气特性让该MOSFET在需要高电流和电压的电子设备中表现出色。

栅源极阈值电压为3V,意味着在该电压下MOSFET开始导电。导通电阻(Rds(on))在18.3A和10V下为7.5mΩ,显示出该器件在导通状态下的低损耗特性,这对降低整体功率损失至关重要。

热管理

该器件的最大功率耗散为1.5W(在环境温度25°C下),这使得它能够在不影响性能的情况下有效地散热。更广泛的工作温度范围(-55°C至150°C)增加了其在极端环境条件下的可靠性和应用灵活性。

应用领域

SI7114DN-T1-E3广泛应用于以下领域:

  1. DC-DC转换器:用于高效的电压转换,尤其是在便携式设备和电源模块中。
  2. 电机驱动:在交流或直流电机控制系统中,以实现高效调速。
  3. 功率管理电路:在各种电源管理方案中,尤其是电池供电设备的功率转换和调节。
  4. 开关电源:在开关电源中作为开关元件,实现高效率的功率转换。

封装与安装

SI7114DN-T1-E3采用表面贴装型封装(PowerPAK® 1212-8),旨在减少电路板上的空间占用,并提高集成度。其紧凑的设计使得更适合于现代小型化电子产品,满足快速发展的市场需求。

结论

总的来说,VISHAY的SI7114DN-T1-E3 MOSFET不仅在各项性能指标上表现优异,而且通过其坚固的设计和良好的散热能力,为高功率应用提供了可靠解决方案。其宽广的应用范围和出色的电气特性,使其成为电子工程师在设计高效能、高可靠性的电子设备时的理想选择。无论是在电源管理还是高效开关领域,SI7114DN-T1-E3都将是一个值得信赖的元器件。