类型 | 1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 150V |
连续漏极电流(Id) | 8.9A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 295mΩ@10V,8.9A |
功率(Pd) | 3.7W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 23.2nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 1.19nF@50V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 42pF@50V | 工作温度 | -50℃~+150℃ |
产品概述:SI7115DN-T1-GE3
SI7115DN-T1-GE3 是一款高性能 P 型通道 MOSFET,专为需要高效率和高功率处理的应用而设计。该器件由知名品牌 VISHAY(威世)制造,其独特的 PowerPAK® 1212-8 封装技术使其在散热性能和电气特性方面均表现出色。本文将对该 MOSFET 的关键参数、技术特点及应用场景进行详细介绍。
漏极电流(Id):
漏源电压(Vdss):
导通电阻(Rds(on):
栅源极阈值电压(Vgs(th)):
功率耗散:
工作温度范围:
封装与安装:
SI7115DN-T1-GE3 以其高效能和优良的热性能,适合多个应用领域。具体应用包括:
VISHAY SI7115DN-T1-GE3 是一款高性能 P 通道 MOSFET,兼具高电流承载能力和低导通电阻优势,适合绝大多数工业和商业应用需求。其广泛的工作温度范围、卓越的功率损耗管理和出色的封装设计,使其成为各种电源管理和负载控制应用的理想选择。对于需要高效率和可靠性的设计工程师而言,这款 MOSFET 是一项值得信赖的选择。