SI7461DP-T1-E3
SI7461DP-T1-E3参数
| 类型 | 1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 连续漏极电流(Id) | 14.4A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 14.5mΩ@10V,14.4A |
| 功率(Pd) | 3.4W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1V@250uA |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 190nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 121pF@30V |
| 反向传输电容(Crss@Vds) | 32pF@30V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
SI7461DP-T1-E3手册
SI7461DP-T1-E3概述
SI7461DP-T1-E3 产品概述
产品名称: SI7461DP-T1-E3
类型: P沟道MOSFET
品牌: VISHAY（威世）
封装: PowerPAK® SO-8
基础参数
SI7461DP-T1-E3 是一款高性能的P沟道场效应管（MOSFET），具备多项优越的电气性能，使其适用于广泛的应用场景。该MOSFET的关键参数如下：
- 漏源电压 (Vdss): 60V
- 连续漏极电流 (Id): 14.4A @ 25°C
- 栅源极阈值电压 (Vgs(th)): 3V @ 250µA
- 漏源导通电阻 (Rds(on)): 19mΩ @ 12.6A, 4.5V
- 最大功率耗散: 5.4W @ Ta=25°C
SI7461DP-T1-E3 的安装类型为表面贴装型，采用了 PowerPAK® SO-8 封装，这种小型封装设计不仅有效节省了PCB空间，还保证了良好的热散能力，便于在高功率应用中使用。
关键性能特征
电流承载能力: SI7461DP-T1-E3 在 25°C 环境温度下能够持续承载高达 14.4A 的漏极电流，这使得它在高功率应用中具有较大的灵活性。
良好的导通性能: 此MOSFET在 12.6A 的工作电流下导通电阻为 19mΩ，确保了低损耗和高效能。
宽广的工作温度范围: 该器件的工作温度范围为 -55°C 到 150°C（TJ），适应各种恶劣环境下的应用，确保了稳定的性能。
低栅极电荷 (Qg): 在 10V 驱动电压下，栅极电荷最大值为 190nC，这种特性使得该器件适合于高频开关应用，能够实现较高的工作效率。
高功率耗散能力: 该器件的最大功率耗散能力为 5.4W，能够有效控制热量，保证MOSFET工作的稳定性和安全性。
应用场景
SI7461DP-T1-E3 的多项特性使其非常适合应用于以下领域：
- 电源管理: 可用于DC-DC转换器、功率开关等，需要高效能和低功耗的电源管理系统。
- 马达驱动: 在马达控制和驱动系统中，提供高电流和高效的开关控制，适用于电动工具、家用电器等。
- 工业控制: 在工业自动化和控制系统中，优越的电流承载能力和热稳定性使得其广泛应用于传感器和执行器。
- 消费者电子: 可靠性高和较小的封装尺寸适合用于手机、平板等消费电子产品中的电源管理。
总结
SI7461DP-T1-E3 是一款高效、可靠且范围广泛的P沟道MOSFET。其60V的漏源电压、14.4A的连续漏极电流、以及优良的导通性能，使其成为电源管理、马达驱动以及工业控制等应用的理想选择。VISHAY的PowerPAK® SO-8封装设计不仅提高了散热性能，还使得该器件在设计和部署中更加灵活，成为现代电子设计中不可或缺的重要组成部分。