类型 | 1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 30V |
连续漏极电流(Id) | 35A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 7mΩ@10V,35A |
功率(Pd) | 3.7W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.5V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 39.5nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 4.427nF@15V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 430pF@15V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
SI7625DN-T1-GE3 是由著名电子元器件制造商 VISHAY(威世)生产的一款高性能 P 通道 MOSFET (金属氧化物场效应晶体管),封装形式为 PowerPAK® 1212-8。该器件的设计旨在提供卓越的电流和电压处理能力,适合各种高效能开关电源、电机驱动以及其他需要高线性度和高效率的应用场景。
导通电阻(Rds On):
电流承载能力:
工作电压:
驱动电压:
输入电容与栅极电荷:
热性能:
工作温度范围:
门源电压阈值(Vgs(th)):
SI7625DN-T1-GE3 是用于开关电源、电池管理系统、替代继电器的高效能开关元件的理想选择。其特有的 P 通道设计使它在低侧开关应用中更加适用,尤其适合需要高效能切换和低待机功耗的场合,包括但不限于:
SI7625DN-T1-GE3 是一款性能卓越且应用广泛的 P 通道 MOSFET。凭借出色的导通电阻、宽泛的工作温度范围和高电流承载能力,VISHAY 在这一产品上展示了其与时俱进的技术研发能力。它将成为现代电源系统和负载驱动方案中不可或缺的关键元件。