SI7625DN-T1-GE3 产品实物图片
SI7625DN-T1-GE3 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

SI7625DN-T1-GE3

商品编码: BM0000285499
品牌 : 
VISHAY(威世)
封装 : 
PowerPAK® 1212-8
包装 : 
编带
重量 : 
1g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 3.7W;52W 30V 35A 1个P沟道 PowerPAK-1212-8
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
4.7
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥4.7
--
3000+
¥4.52
--
18000+
产品参数
产品手册
产品概述

SI7625DN-T1-GE3参数

类型1个P沟道漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)35A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)7mΩ@10V,35A
功率(Pd)3.7W阈值电压(Vgs(th)@Id)2.5V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)39.5nC@10V输入电容(Ciss@Vds)4.427nF@15V
反向传输电容(Crss@Vds)430pF@15V工作温度-55℃~+150℃

SI7625DN-T1-GE3手册

SI7625DN-T1-GE3概述

产品概述:SI7625DN-T1-GE3

一、基础介绍

SI7625DN-T1-GE3 是由著名电子元器件制造商 VISHAY(威世)生产的一款高性能 P 通道 MOSFET (金属氧化物场效应晶体管),封装形式为 PowerPAK® 1212-8。该器件的设计旨在提供卓越的电流和电压处理能力,适合各种高效能开关电源、电机驱动以及其他需要高线性度和高效率的应用场景。

二、关键参数

  1. 导通电阻(Rds On):

    • 最大RON为7毫欧,常用于 15A、10V 条件下。这一低导通电阻特性使得该 MOSFET 在高电流应用中表现出极低的功耗损耗,从而提高应用系统的整体能效。
  2. 电流承载能力:

    • 支持的最大连续漏极电流为35A(在 Tc 条件下)。这使得 SI7625DN-T1-GE3 能够轻松满足高负载应用的需求。
  3. 工作电压:

    • 漏源电压(Vdss)为30V,适合中等电压应用。该特点使得 MOSFET 在许多电子电路中都有广泛的适配性。
  4. 驱动电压:

    • 该器件的驱动电压可在4.5V到10V之间操作,能够实现最佳的开关响应和电流传输效率。
  5. 输入电容与栅极电荷:

    • 最大输入电容Ciss为4427pF,在15V条件下表现良好;栅极电荷Qg为126nC(在10V条件下)。这些特点使得 SI7625DN-T1-GE3 在高频转换率和快速开关应用中表现优秀。
  6. 热性能:

    • 生命周期最大功率耗散为3.7W(在室温Ta下),而在温度控制下可以支持高达52W的功率耗散。这保证了产品在高负载运行时的稳定性与安全性。
  7. 工作温度范围:

    • SI7625DN-T1-GE3 可在-55°C至150°C的宽工作温度范围内正常工作,使其在各种严苛环境中均适用。
  8. 门源电压阈值(Vgs(th)):

    • 最大栅源电压阈值为2.5V(在250µA条件下),此特性确保器件能够在较低的栅电压下实现导通。

三、应用场景

SI7625DN-T1-GE3 是用于开关电源、电池管理系统、替代继电器的高效能开关元件的理想选择。其特有的 P 通道设计使它在低侧开关应用中更加适用,尤其适合需要高效能切换和低待机功耗的场合,包括但不限于:

  1. 电池供电设备: 其低功耗特性使得在电池供电的装置中能有效延长电池寿命。
  2. 电动工具: 可用于电机驱动,提高工作效率并降低散热。
  3. 家电控制系统: 在家用电器的电源管理中,用于高效开关和转换。

四、总结

SI7625DN-T1-GE3 是一款性能卓越且应用广泛的 P 通道 MOSFET。凭借出色的导通电阻、宽泛的工作温度范围和高电流承载能力,VISHAY 在这一产品上展示了其与时俱进的技术研发能力。它将成为现代电源系统和负载驱动方案中不可或缺的关键元件。