类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 150V |
连续漏极电流(Id) | 6.7A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 50mΩ@10V,5A |
功率(Pd) | 5.2W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4.5V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 36nC@10V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
SI7846DP-T1-GE3 是一款由VISHAY(威世)生产的N沟道MOSFET,具有优异的导通性能与热管理特性。它采用了PowerPAK® SO-8封装,适合于各种需要高效率与小型化设计的应用,广泛应用于电源管理、开关电源转换器、LED驱动电路以及电机驱动等领域。
封装与类型
电气特性
功率与温度特性
SI7846DP-T1-GE3 能够适用于多种应用场合,主要包括:
电源管理: 在开关电源(SMPS)中,MOSFET可用于开关操作,具有低导通电阻,使其能够在高频率下高效运行,减少能量损耗。
电机驱动: MOSFET 可用于控制直流电机、步进电机与无刷电机的功率开关,支持高性能的动态响应与能效管理。
LED驱动: 在LED驱动电路中,SI7846DP-T1-GE3 可用于实现高效的电源转换,提升LED照明应用的稳定性与亮度调节能力。
电池管理系统: 作为电池管理系统中的关键元件,用于控制充放电过程中的开关,确保电池的安全与高效使用。
SI7846DP-T1-GE3 是一款高性能的N沟道MOSFET,结合了低导通电阻、高温工作能力及小体积封装,适合用于多种高效电源管理方案及功率转换应用。凭借其优异的电气与热性能,这款MOSFET将极大地推动现代电子设计的发展,为高效能与高可靠性的电路提供强有力的支持。