SI7846DP-T1-GE3 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

SI7846DP-T1-GE3

商品编码: BM0000285500
品牌 : 
VISHAY(威世)
封装 : 
PowerPAK® SO-8
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 1.9W 150V 4A 1个N沟道 SO-8
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
4.11
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥4.11
--
3000+
¥3.96
--
18000+
产品参数
产品手册
产品概述

SI7846DP-T1-GE3参数

类型1个N沟道漏源电压(Vdss)150V
连续漏极电流(Id)6.7A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)50mΩ@10V,5A
功率(Pd)5.2W阈值电压(Vgs(th)@Id)4.5V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)36nC@10V工作温度-55℃~+150℃

SI7846DP-T1-GE3手册

SI7846DP-T1-GE3概述

SI7846DP-T1-GE3 产品概述

一、基本信息

SI7846DP-T1-GE3 是一款由VISHAY(威世)生产的N沟道MOSFET,具有优异的导通性能与热管理特性。它采用了PowerPAK® SO-8封装,适合于各种需要高效率与小型化设计的应用,广泛应用于电源管理、开关电源转换器、LED驱动电路以及电机驱动等领域。

二、技术规格

  1. 封装与类型

    • 封装/外壳:PowerPAK® SO-8
    • 安装类型:表面贴装(SMT)
    • FET 类型:N沟道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)
  2. 电气特性

    • 漏源极电压(Vdss):150V
    • 25°C 时的连续漏极电流(Id):4A(Ta)
    • Vgs(最大值):±20V
    • 不同 Id、Vgs 时的导通电阻(Rds(on)):最大值为50毫欧(@ 5A,10V)
    • 导通电压(阈值电压,Vgs(th)):最大值为4.5V(@ 250µA)
    • 栅极电荷(Qg):最大值为36nC(@ 10V)
  3. 功率与温度特性

    • 功率耗散(Pd):最大值为1.9W(Ta)
    • 工作温度范围:-55°C ~ 150°C(TJ)

三、应用场景

SI7846DP-T1-GE3 能够适用于多种应用场合,主要包括:

  1. 电源管理: 在开关电源(SMPS)中,MOSFET可用于开关操作,具有低导通电阻,使其能够在高频率下高效运行,减少能量损耗。

  2. 电机驱动: MOSFET 可用于控制直流电机、步进电机与无刷电机的功率开关,支持高性能的动态响应与能效管理。

  3. LED驱动: 在LED驱动电路中,SI7846DP-T1-GE3 可用于实现高效的电源转换,提升LED照明应用的稳定性与亮度调节能力。

  4. 电池管理系统: 作为电池管理系统中的关键元件,用于控制充放电过程中的开关,确保电池的安全与高效使用。

四、产品优势

  • 高温工作能力:该MOSFET具备宽广的工作温度范围(-55°C 至 150°C),适合在严苛的环境条件下运行。
  • 低导通电阻:优异的导通电阻特性(最大50毫欧)显著降低了能量损失,提升整体电路的能效。
  • 小型化设计:采用PowerPAK® SO-8封装,体积小,适合于高密度布线的电路板设计。
  • 出色的散热特性:1.9W的功率耗散能力保证了MOSFET在高负载情况下的可靠性。

五、总结

SI7846DP-T1-GE3 是一款高性能的N沟道MOSFET,结合了低导通电阻、高温工作能力及小体积封装,适合用于多种高效电源管理方案及功率转换应用。凭借其优异的电气与热性能,这款MOSFET将极大地推动现代电子设计的发展,为高效能与高可靠性的电路提供强有力的支持。