SI7884BDP-T1-GE3

SI7884BDP-T1-GE3 产品概述

产品简介

SI7884BDP-T1-GE3 是一款高性能的 N 通道 MOSFET，由知名电子元器件制造商 VISHAY（威世）公司生产。它采用了 PowerPAK® SO-8 封装，专为表面贴装应用设计，广泛应用于各种电力转换和开关电源领域。凭借其出色的电流承载能力和低导通电阻，SI7884BDP-T1-GE3 是高效能电源管理和驱动电路中的理想选择。

主要特性

• 封装/外壳: PowerPAK® SO-8
• FET 类型: N 通道
• 漏源极电压（Vdss）: 40V
• 栅源电压 Vgss: ±20V
• 连续漏极电流 (Id): 58A（在 25°C 环境下）
• 导通电阻 (Rds(on)): 7.5 mΩ（在 10V 时，16A 条件下）
• 驱动电压: 适用于 4.5V 至 10V 的电压范围
• 栅极阈值电压 (Vgs(th)): 最大值为 3V（在 250µA 条件下）
• 栅极电荷 (Qg): 最大值 77nC（在 10V 时）
• 输入电容 (Ciss): 最大值为 3540pF（在 20V 时）
• 功率耗散: 在环境温度 Ta 下最大为 4.6W，在结温 Tc 下最大为 46W
• 工作温度范围: -55°C 至 150°C（结温 TJ）

应用领域

SI7884BDP-T1-GE3 的高效能和稳定性使其适用于多种技术领域，包括但不限于：

1. 电源转换器: 由于其高漏极电流和低导通电阻，该 MOSFET 适合用于高效开关电源（SMPS），能够减少能量损耗，提高整体效率。

2. 电机驱动: 适用于 DC 和步进电机的驱动器中，为电机提供高效的开关控制，减少散热。

3. LED 驱动: 可用于高功率 LED 的驱动电路，提供稳定的电流控制，从而延长 LED 的使用寿命。

4. 充电器和适配器: 在移动设备和电池管理系统中应用，为电池充电提供可靠的电流路径。

5. 汽车电子: 由于其工作温度范围广泛，该 MOSFET 可用于汽车的各种电气系统中，如电动助力转向、动力电池管理及车载充电设备等。

性能优势

• 低导通电阻和高电流处理能力: SI7884BDP-T1-GE3 具有超低的 Rds(on)，使其在开关操作中损失更少的能量，相对提升了系统的整体效率。

• 宽工作温度范围: 适用从 -55°C 到 150°C 的环境条件，使其能够在极端环境下可靠运行，非常适合于工业和汽车应用。

• 高电压和电流能力: 最大漏源极电压为 40V，额定电流为 58A，适合用于需要高功率和高效率的应用场合。

• 小型化设计: PowerPAK® SO-8 封装不仅能够提供良好的散热性能，也帮助设计更紧凑的电路板布局，适合现代电子产品对小型化的需求。

总结

综上所述，SI7884BDP-T1-GE3 是一款卓越的 N 通道 MOSFET，以其出色的电气性能、广泛的应用能力和坚固的工况兼容性，成为现代电源管理、驱动和电子控制系统中的关键元件。其低导通电阻、高电流能力以及优异的热性能，使其在高效能电路设计中具有极高的价值。无论是在工业自动化、消费电子还是汽车电子领域，SI7884BDP-T1-GE3 都能有效满足需求，贡献卓越的性能。