类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 40V |
连续漏极电流(Id) | 58A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 7.5mΩ@10V,16A |
功率(Pd) | 4.6W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 3V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 21nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 3.54nF@20V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 142pF@10V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
SI7884BDP-T1-GE3 是一款高性能的 N 通道 MOSFET,由知名电子元器件制造商 VISHAY(威世)公司生产。它采用了 PowerPAK® SO-8 封装,专为表面贴装应用设计,广泛应用于各种电力转换和开关电源领域。凭借其出色的电流承载能力和低导通电阻,SI7884BDP-T1-GE3 是高效能电源管理和驱动电路中的理想选择。
SI7884BDP-T1-GE3 的高效能和稳定性使其适用于多种技术领域,包括但不限于:
电源转换器: 由于其高漏极电流和低导通电阻,该 MOSFET 适合用于高效开关电源(SMPS),能够减少能量损耗,提高整体效率。
电机驱动: 适用于 DC 和步进电机的驱动器中,为电机提供高效的开关控制,减少散热。
LED 驱动: 可用于高功率 LED 的驱动电路,提供稳定的电流控制,从而延长 LED 的使用寿命。
充电器和适配器: 在移动设备和电池管理系统中应用,为电池充电提供可靠的电流路径。
汽车电子: 由于其工作温度范围广泛,该 MOSFET 可用于汽车的各种电气系统中,如电动助力转向、动力电池管理及车载充电设备等。
低导通电阻和高电流处理能力: SI7884BDP-T1-GE3 具有超低的 Rds(on),使其在开关操作中损失更少的能量,相对提升了系统的整体效率。
宽工作温度范围: 适用从 -55°C 到 150°C 的环境条件,使其能够在极端环境下可靠运行,非常适合于工业和汽车应用。
高电压和电流能力: 最大漏源极电压为 40V,额定电流为 58A,适合用于需要高功率和高效率的应用场合。
小型化设计: PowerPAK® SO-8 封装不仅能够提供良好的散热性能,也帮助设计更紧凑的电路板布局,适合现代电子产品对小型化的需求。
综上所述,SI7884BDP-T1-GE3 是一款卓越的 N 通道 MOSFET,以其出色的电气性能、广泛的应用能力和坚固的工况兼容性,成为现代电源管理、驱动和电子控制系统中的关键元件。其低导通电阻、高电流能力以及优异的热性能,使其在高效能电路设计中具有极高的价值。无论是在工业自动化、消费电子还是汽车电子领域,SI7884BDP-T1-GE3 都能有效满足需求,贡献卓越的性能。