SI7884BDP-T1-GE3 产品实物图片
SI7884BDP-T1-GE3 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

SI7884BDP-T1-GE3

商品编码: BM0000285502
品牌 : 
VISHAY(威世)
封装 : 
PowerPAK® SO-8
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 4.6W;46W 40V 58A 1个N沟道 PowerPAK-SO-8
库存 :
14940(起订量1,增量1)
批次 :
2年内
数量 :
X
4.32
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥4.32
--
3000+
¥4.15
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

SI7884BDP-T1-GE3参数

类型1个N沟道漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)58A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)7.5mΩ@10V,16A
功率(Pd)4.6W阈值电压(Vgs(th)@Id)3V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)21nC@10V输入电容(Ciss@Vds)3.54nF@20V
反向传输电容(Crss@Vds)142pF@10V工作温度-55℃~+150℃

SI7884BDP-T1-GE3手册

SI7884BDP-T1-GE3概述

SI7884BDP-T1-GE3 产品概述

产品简介

SI7884BDP-T1-GE3 是一款高性能的 N 通道 MOSFET,由知名电子元器件制造商 VISHAY(威世)公司生产。它采用了 PowerPAK® SO-8 封装,专为表面贴装应用设计,广泛应用于各种电力转换和开关电源领域。凭借其出色的电流承载能力和低导通电阻,SI7884BDP-T1-GE3 是高效能电源管理和驱动电路中的理想选择。

主要特性

  • 封装/外壳: PowerPAK® SO-8
  • FET 类型: N 通道
  • 漏源极电压(Vdss): 40V
  • 栅源电压 Vgss: ±20V
  • 连续漏极电流 (Id): 58A(在 25°C 环境下)
  • 导通电阻 (Rds(on)): 7.5 mΩ(在 10V 时,16A 条件下)
  • 驱动电压: 适用于 4.5V 至 10V 的电压范围
  • 栅极阈值电压 (Vgs(th)): 最大值为 3V(在 250µA 条件下)
  • 栅极电荷 (Qg): 最大值 77nC(在 10V 时)
  • 输入电容 (Ciss): 最大值为 3540pF(在 20V 时)
  • 功率耗散: 在环境温度 Ta 下最大为 4.6W,在结温 Tc 下最大为 46W
  • 工作温度范围: -55°C 至 150°C(结温 TJ)

应用领域

SI7884BDP-T1-GE3 的高效能和稳定性使其适用于多种技术领域,包括但不限于:

  1. 电源转换器: 由于其高漏极电流和低导通电阻,该 MOSFET 适合用于高效开关电源(SMPS),能够减少能量损耗,提高整体效率。

  2. 电机驱动: 适用于 DC 和步进电机的驱动器中,为电机提供高效的开关控制,减少散热。

  3. LED 驱动: 可用于高功率 LED 的驱动电路,提供稳定的电流控制,从而延长 LED 的使用寿命。

  4. 充电器和适配器: 在移动设备和电池管理系统中应用,为电池充电提供可靠的电流路径。

  5. 汽车电子: 由于其工作温度范围广泛,该 MOSFET 可用于汽车的各种电气系统中,如电动助力转向、动力电池管理及车载充电设备等。

性能优势

  • 低导通电阻和高电流处理能力: SI7884BDP-T1-GE3 具有超低的 Rds(on),使其在开关操作中损失更少的能量,相对提升了系统的整体效率。

  • 宽工作温度范围: 适用从 -55°C 到 150°C 的环境条件,使其能够在极端环境下可靠运行,非常适合于工业和汽车应用。

  • 高电压和电流能力: 最大漏源极电压为 40V,额定电流为 58A,适合用于需要高功率和高效率的应用场合。

  • 小型化设计: PowerPAK® SO-8 封装不仅能够提供良好的散热性能,也帮助设计更紧凑的电路板布局,适合现代电子产品对小型化的需求。

总结

综上所述,SI7884BDP-T1-GE3 是一款卓越的 N 通道 MOSFET,以其出色的电气性能、广泛的应用能力和坚固的工况兼容性,成为现代电源管理、驱动和电子控制系统中的关键元件。其低导通电阻、高电流能力以及优异的热性能,使其在高效能电路设计中具有极高的价值。无论是在工业自动化、消费电子还是汽车电子领域,SI7884BDP-T1-GE3 都能有效满足需求,贡献卓越的性能。