类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 650V |
连续漏极电流(Id) | 12A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 380mΩ@6A,10V |
功率(Pd) | 156W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 70nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 1.224nF@100V |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
SIHP12N65E-GE3 是一款高性能 N 沟道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),由著名的电子元器件制造商 VISHAY(威世)出品。这款 MOSFET 采用 TO-220-3 封装,具有出色的电气性能和热管理能力,适合用于高压和高功率的电子应用。
SIHP12N65E-GE3 是一款多功能的 MOSFET,广泛应用于诸如:
总之,SIHP12N65E-GE3 作为一款高压、高效能的 N 沟道 MOSFET,具有优良的电气特性和稳定性,用户可以在各种高功率与高频率应用中放心使用。其出色的散热性能以及广泛的工作温度范围,使其成为工业、商业及消费电子产品中的理想选择。选择 VISHAY 这家知名供货商的 MOSFET,不仅可以获得稳定的性能保证,还能享受到全面的技术支持,因此,这款 MOSFET 是您电子设计中非常值得信赖的组件。