类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 600V |
连续漏极电流(Id) | 28A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 123mΩ@14A,10V |
功率(Pd) | 250W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 120nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 2.714nF@100V |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
产品名称: SIHP28N60EF-GE3
类型: N通道MOSFET
厂商: VISHAY(威世)
封装类型: TO-220-3
SIHP28N60EF-GE3是一款高性能的N沟道金属氧化物场效应晶体管(MOSFET),旨在满足现代电子应用中对功率管理、高效率和高电压的需求。凭借其优异的电气特性和广泛的工作温度范围,这款MOSFET在电力电子、开关电源、马达驱动以及其他需要高效率和可靠性的应用中被广泛使用。
漏源极电压(Vdss): 600V
SIHP28N60EF-GE3支持高达600V的漏源极电压,使其适合用于高压应用,包括工业设备和电力转换器。
连续漏极电流(Id): 28A(Tc = 25°C)
在正常工作条件下,该MOSFET能承受28A的连续漏极电流,提供可靠的电流传输能力,适合高负载条件。
栅源电压(Vgss): ±30V
栅源电压范围为±30V,使得其能够与多种驱动电路兼容,通过适当的栅驱动电压实现精确控制。
导通电阻(Rds(on): 123毫欧 @ 14A, 10V
在10V的栅电压下,只有123毫欧的导通电阻保证了在高电流下的最佳功率损耗表现,降低了发热,并提升了整体效率。
功率耗散(Pd): 250W(Tc ≤ 25°C)
该MOSFET的最大功率耗散为250W,适用于高功率环境,并通过良好的散热设计扩大可能的使用场景。
工作温度范围: -55°C ~ 150°C
广泛的工作温度范围保证了该产品可以在极端环境下稳定工作,极大地扩展了其应用范围。
输入电容(Ciss): 2714pF @ 100V
较高的输入电容值对于快速开关及高频应用提供了良好的性能。
栅极电荷(Qg): 120nC @ 10V
低栅极电荷值使得该MOSFET在 switching 应用中响应迅速,有效提高了开关效率。
SIHP28N60EF-GE3由于其优异的性能特征,可广泛应用于以下领域:
开关电源: 在AC-DC和DC-DC转换器中提供高效的开关性能,帮助设计紧凑且高效的电源系统。
马达驱动: 适用于各种电机控制应用,包括变频器和伺服电机驱动,提供精准的控制和高效的动力传输。
电力电子: 在高功率应用中,能够有效地控制功率流动,广泛应用于电力变换器和能量管理系统。
工业自动化: 在自动化设备中提供可靠的开关设备,支持严苛的工业环境。
SIHP28N60EF-GE3是一款高度可靠、具备优异性能的N通道MOSFET,凭借其600V的漏源极电压、28A的连续漏极电流和250W的功率耗散能力,使其在各种高压和高流应用中表现优秀。无论是电源管理、马达驱动还是其他电力电子应用,该MOSFET都为设计师提供了一个有效的解决方案。考虑到其卓越的电气特性、广泛的工作温度范围以及易于集成的封装设计,SIHP28N60EF-GE3无疑是支持现代电子系统性能提升的理想选择。