类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 60V |
连续漏极电流(Id) | 25.5A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 3.85mΩ@10V,10A |
功率(Pd) | 5W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 3.6V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 22nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 1.92nF@30V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 29pF@30V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
SIR188DP-T1-RE3 是一款高性能的 N 通道金属氧化物场效应管 (MOSFET),由著名电子元器件制造商 VISHAY(威世)出品。这款产品专为高效的电力管理和开关应用而设计,具备优异的导电性能和热管理能力,广泛应用于电源转换、马达驱动和各种电力电子设备。
这款 MOSFET 的基本参数如下:
SIR188DP-T1-RE3 采用 PowerPAK® SO-8 封装,这种封装结构的优势在于其出色的热传导特性,能够有效散热,同时圆弧形边缘设计增强了耐用性。该封装形式易于在高度集成的电路板上进行组装,适合各种高效能应用,如:
综上所述,SIR188DP-T1-RE3 是一款高性能的 N 通道 MOSFET,凭借其低导通电阻、高电流承载能力和广泛的工作温度范围,在高频开关和高效能电力转换应用中表现出色。作为 VISHAY(威世)的高质量产品,SIR188DP-T1-RE3 将为您的设计提供稳定性和可靠性,是现代电子电路中不可或缺的重要组成部分。