类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 25V |
连续漏极电流(Id) | 50A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 2.8mΩ@10V,15A |
功率(Pd) | 5.2W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.2V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 28.4nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 3.8nF@10V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 344pF@10V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
SIR862DP-T1-GE3 是由 VISHAY(威世半导体)制造的一款高性能 N 沟道 MOSFET,采用 PowerPAK® SO-8 表面贴装封装。该器件旨在提供高效率、低导通电阻和优秀的热性能,使其成为应用于各种电子设备中的理想选择,尤其是在电源管理、开关电源以及驱动电路中。
SIR862DP-T1-GE3 的主要技术参数包括:
SIR862DP-T1-GE3 适用于多种应用,其性能特点使其在以下领域表现出色:
SIR862DP-T1-GE3 是一款高效、耐用且适用范围广的 N 沟道 MOSFET,充分结合了 VISHAY 在半导体领域的深厚技术背景及创新设计优势。无论是在电源管理、汽车电子还是消费电子的各种应用中,均能为设计师提供理想的解决方案。凭借其优越的电气性能和紧凑的封装形式,SIR862DP-T1-GE3 令设备在实现高效能与高可靠性的同时,还能满足用户对空间及性能的双重需求。