SPP11N60C3XKSA1 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

SPP11N60C3XKSA1

商品编码: BM0000285581
品牌 : 
Infineon(英飞凌)
封装 : 
PG-TO220-3
包装 : 
管装
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 125W 650V 11A 1个N沟道 TO-220-3
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
48.53
按整 :
管(1管有500个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥48.53
--
500+
¥47.21
--
10000+
产品参数
产品手册
产品概述

SPP11N60C3XKSA1参数

类型1个N沟道漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)11A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)380mΩ@7A,10V
功率(Pd)125W阈值电压(Vgs(th)@Id)3.9V@500uA
栅极电荷(Qg@Vgs)60nC@10V输入电容(Ciss@Vds)1.2nF@25V
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)

SPP11N60C3XKSA1手册

SPP11N60C3XKSA1概述

SPP11N60C3XKSA1 产品概述

一、产品简介

SPP11N60C3XKSA1 是由英飞凌(Infineon)生产的一款高性能 N 通道 MOSFET(场效应管),该器件专为高压、高效能的电源管理和开关应用设计。凭借其高达 650V 的漏源电压(Vdss)和 11A 的连续漏极电流,这款 MOSFET 在各种应用场合中均表现出色,尤其适用于开关电源、逆变器和电机驱动器等领域。

二、主要特性

  1. 高电压能力
    SPP11N60C3XKSA1 具备 650V 的漏源电压,让其适合于高压电源和电气设备的应用,尤其是在需要处理

    大电压的工业环境中。

  2. 高电流承载能力
    最大连续漏极电流可达 11A (在特定的结温条件下),使其可以承载较大的负载电流,故而能够满足不同场合对电流的需求。

  3. 低导通电阻
    在 10V 的栅极驱动电压下,导通电阻 Rds(on) 最大值仅为 380 毫欧(@ 7A),有效降低了导通损失,提高了整体电源的效率。

  4. 宽工作温度范围
    该 MOSFET 能够在 -55°C 到 150°C 的广泛温度范围内工作,适应恶劣的工作环境,提供了较高的可靠性。

  5. 高频开关特性
    具备 60nC 的栅极电荷 (Qg) @ 10V,意味着在高频开关应用中,器件可快速响应,提升开关效率。

  6. 超低漏电流
    其阈值电压 (Vgs(th)) 最大值可低至 3.9V @ 500µA,这使得在关断状态下的漏电流微小,有助于降低待机功耗。

  7. 良好的稳定性与可靠性
    SPP11N60C3XKSA1 设计符合严格的电子器件标准,确保其在长期使用情况下的稳定性和可靠性,适合长时间运行的设备。

三、应用领域

由于其卓越的性能和特性,SPP11N60C3XKSA1 广泛应用于诸多领域,通常包括但不限于:

  • 开关电源(SMPS)
    主要用于 AC-DC 和 DC-DC 转换器中,承担开关元件的功能,提高能量转换效率。

  • 逆变器
    在光伏发电、电动汽车和不间断电源系统等逆变器应用中,该 MOSFET 可实现高效的电能转换。

  • 电机驱动
    用于各种电机控制应用,如伺服电机、步进电机控制,提供稳定的驱动电流。

  • LED 驱动器
    适用于 LED 灯驱动电路,实现高效稳流控制,保证LED亮度均匀,延长使用寿命。

  • 工业控制与自动化设备
    列入自动化装置和恶劣环境下的高可靠性应用,进一步扩展其市场在力电和高频控制。

四、总结

SPP11N60C3XKSA1 作为英飞凌推出的一款 N 通道 MOSFET,凭借其650V的高额定电压和11A的持续电流能力,展现出优越的性能和宽广的应用范围。适合用于多种高效能要求的电源管理和开关应用,展示了它在现代电子产品中的重要地位。其在高工作温度、低导通电阻及高频响应等方面的优越性能,使得此 MOSFET 成为了工程师在设计各类设备时的推荐选择。无论是在消费电子、工业控制还是可再生能源技术中,SPP11N60C3XKSA1 都是值得信赖的电子元器件之一。