类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 650V |
连续漏极电流(Id) | 11A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 380mΩ@7A,10V |
功率(Pd) | 125W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 3.9V@500uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 60nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 1.2nF@25V |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
SPP11N60C3XKSA1 是由英飞凌(Infineon)生产的一款高性能 N 通道 MOSFET(场效应管),该器件专为高压、高效能的电源管理和开关应用设计。凭借其高达 650V 的漏源电压(Vdss)和 11A 的连续漏极电流,这款 MOSFET 在各种应用场合中均表现出色,尤其适用于开关电源、逆变器和电机驱动器等领域。
高电压能力
SPP11N60C3XKSA1 具备 650V 的漏源电压,让其适合于高压电源和电气设备的应用,尤其是在需要处理
大电压的工业环境中。
高电流承载能力
最大连续漏极电流可达 11A (在特定的结温条件下),使其可以承载较大的负载电流,故而能够满足不同场合对电流的需求。
低导通电阻
在 10V 的栅极驱动电压下,导通电阻 Rds(on) 最大值仅为 380 毫欧(@ 7A),有效降低了导通损失,提高了整体电源的效率。
宽工作温度范围
该 MOSFET 能够在 -55°C 到 150°C 的广泛温度范围内工作,适应恶劣的工作环境,提供了较高的可靠性。
高频开关特性
具备 60nC 的栅极电荷 (Qg) @ 10V,意味着在高频开关应用中,器件可快速响应,提升开关效率。
超低漏电流
其阈值电压 (Vgs(th)) 最大值可低至 3.9V @ 500µA,这使得在关断状态下的漏电流微小,有助于降低待机功耗。
良好的稳定性与可靠性
SPP11N60C3XKSA1 设计符合严格的电子器件标准,确保其在长期使用情况下的稳定性和可靠性,适合长时间运行的设备。
由于其卓越的性能和特性,SPP11N60C3XKSA1 广泛应用于诸多领域,通常包括但不限于:
开关电源(SMPS)
主要用于 AC-DC 和 DC-DC 转换器中,承担开关元件的功能,提高能量转换效率。
逆变器
在光伏发电、电动汽车和不间断电源系统等逆变器应用中,该 MOSFET 可实现高效的电能转换。
电机驱动
用于各种电机控制应用,如伺服电机、步进电机控制,提供稳定的驱动电流。
LED 驱动器
适用于 LED 灯驱动电路,实现高效稳流控制,保证LED亮度均匀,延长使用寿命。
工业控制与自动化设备
列入自动化装置和恶劣环境下的高可靠性应用,进一步扩展其市场在力电和高频控制。
SPP11N60C3XKSA1 作为英飞凌推出的一款 N 通道 MOSFET,凭借其650V的高额定电压和11A的持续电流能力,展现出优越的性能和宽广的应用范围。适合用于多种高效能要求的电源管理和开关应用,展示了它在现代电子产品中的重要地位。其在高工作温度、低导通电阻及高频响应等方面的优越性能,使得此 MOSFET 成为了工程师在设计各类设备时的推荐选择。无论是在消费电子、工业控制还是可再生能源技术中,SPP11N60C3XKSA1 都是值得信赖的电子元器件之一。