类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 500V |
连续漏极电流(Id) | 8.5A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 470mΩ@10V,4.5A |
功率(Pd) | 70W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 19nC | 输入电容(Ciss@Vds) | 547pF@50V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 2pF@50V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
STD11NM50N 是一款由意法半导体(STMicroelectronics)制造的高性能N通道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件特别适用于高电压和大电流的应用场景,广泛用于开关电源、电动机驱动、逆变器和其他电力转换设备。凭借其出色的电气性能和热特性,STD11NM50N 在现代电源管理和电气驱动系统中得到了广泛的应用。
封装类型: STD11NM50N采用 TO-252-3 / DPAK (2 引线 + 接片) 封装,设计为表面贴装(SMT)形式,便于自动化的焊接和更紧凑的电路设计。
FET 类型: 作为N通道MOSFET,STD11NM50N 提供了高电流和高电压的处理能力,适合用于各种开关应用。
漏源极电压(Vdss): 此器件的漏源极电压高达500V,使其能在高电压环境中稳定工作,为设计者在电源管理系统中提供了足够的余量。
连续漏极电流(Id): 在25°C环境温度下,其最大连续漏极电流达到8.5A(Tc),提供充足的驱动能力。
功率耗散: 该MOSFET的最大功率耗散可达70W(Tc),对于需要高功率和高电流的应用环境尤为关键。
最大驱动电压(Vgs): STD11NM50N 的栅源电压可以高达±25V,能有效控制MOSFET的开关状态,适应多种不同的控制电路。
导通电阻(Rds On): 在特定条件下(10V,4.5A),器件的导通电阻最大值为470毫欧,证明其在通电状态下的电能损耗相对较低,因此在开关过程中能有效提高系统的能效。
阈值电压(Vgs(th)): 在250µA电流下,阈值电压的最大值为4V。这一特性使得STD11NM50N 能在较低的控制电压下实现导通,进一步增强了其应用的适应性。
栅极电荷(Qg): 最大值为19nC @ 10V;这一低栅极电荷特性有助于减少驱动电路的能耗,使得器件在高速开关的应用中表现出色。
输入电容(Ciss): 在50V下,最大输入电容为547pF,特别是对于高频率应用,有助于提升开关速度及整体效率。
STD11NM50N 的工作温度范围可以达到150°C(TJ),这使得该器件能够在较为严苛的环境下稳定工作。通过良好的散热设计,可以充分发挥其优异的性能,适应各种温度变化的应用需求。
凭借其卓越的电气特性和可靠性,STD11NM50N 非常适合用于以下应用场景:
由STMicroelectronics出品的STD11NM50N MOSFET是高电压、大功率场合的理想选择。其优异的电气性能、热特性及结构设计,使得该器件在多种应用领域表现出色。无论是在电源管理、自动化设备,亦或是电动机控制系统中,STD11NM50N都能为设计师和工程师提供强大的支持和灵活性。