STD11NM50N

STD11NM50N 产品概述

产品背景

STD11NM50N 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）制造的高性能N通道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件特别适用于高电压和大电流的应用场景，广泛用于开关电源、电动机驱动、逆变器和其他电力转换设备。凭借其出色的电气性能和热特性，STD11NM50N 在现代电源管理和电气驱动系统中得到了广泛的应用。

关键参数

• 封装类型: STD11NM50N采用 TO-252-3 / DPAK (2 引线 + 接片) 封装，设计为表面贴装（SMT）形式，便于自动化的焊接和更紧凑的电路设计。

• FET 类型: 作为N通道MOSFET，STD11NM50N 提供了高电流和高电压的处理能力，适合用于各种开关应用。

• 漏源极电压（Vdss）: 此器件的漏源极电压高达500V，使其能在高电压环境中稳定工作，为设计者在电源管理系统中提供了足够的余量。

• 连续漏极电流（Id）: 在25°C环境温度下，其最大连续漏极电流达到8.5A（Tc），提供充足的驱动能力。

• 功率耗散: 该MOSFET的最大功率耗散可达70W（Tc），对于需要高功率和高电流的应用环境尤为关键。

电气特性

• 最大驱动电压（Vgs）: STD11NM50N 的栅源电压可以高达±25V，能有效控制MOSFET的开关状态，适应多种不同的控制电路。

• 导通电阻（Rds On）: 在特定条件下（10V，4.5A），器件的导通电阻最大值为470毫欧，证明其在通电状态下的电能损耗相对较低，因此在开关过程中能有效提高系统的能效。

• 阈值电压（Vgs(th)）: 在250µA电流下，阈值电压的最大值为4V。这一特性使得STD11NM50N 能在较低的控制电压下实现导通，进一步增强了其应用的适应性。

• 栅极电荷（Qg）: 最大值为19nC @ 10V；这一低栅极电荷特性有助于减少驱动电路的能耗，使得器件在高速开关的应用中表现出色。

• 输入电容（Ciss）: 在50V下，最大输入电容为547pF，特别是对于高频率应用，有助于提升开关速度及整体效率。

工作环境

STD11NM50N 的工作温度范围可以达到150°C（TJ），这使得该器件能够在较为严苛的环境下稳定工作。通过良好的散热设计，可以充分发挥其优异的性能，适应各种温度变化的应用需求。

应用领域

凭借其卓越的电气特性和可靠性，STD11NM50N 非常适合用于以下应用场景：

1. 开关电源：广泛应用于电源转换和调节。
2. 电动机驱动：能够高效驱动各种电动机，实现高效能控制和动力输出。
3. 逆变器：在可再生能源系统（如太阳能逆变器）和电动交通工具中发挥重要作用。
4. 高频开关设备：适应高频率操作，提高整体系统效率。

结论

由STMicroelectronics出品的STD11NM50N MOSFET是高电压、大功率场合的理想选择。其优异的电气性能、热特性及结构设计，使得该器件在多种应用领域表现出色。无论是在电源管理、自动化设备，亦或是电动机控制系统中，STD11NM50N都能为设计师和工程师提供强大的支持和灵活性。