类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 60V |
连续漏极电流(Id) | 35A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 22mΩ@10V,18A |
功率(Pd) | 70W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.7V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 31nC@48V | 输入电容(Ciss@Vds) | 1.6nF@25V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 60pF@25V | 工作温度 | -55℃~+175℃ |
STD30NF06LT4 是一款高性能N沟道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),由意法半导体(STMicroelectronics)制造。该MOSFET专为高效的开关和放大应用而设计,具有优秀的电气性能,广泛应用于电源管理、马达驱动和高频开关电源等领域。其具有60V的漏源电压(Vdss)、35A的连续漏极电流(Id)以及高达70W的功率耗散能力,使其成为需要高功率和高效能的应用场景的理想选择。
电气性能
结构和封装
热特性
应用场景
STD30NF06LT4 采用现代化的MOSFET制造工艺,具有极低的导通电阻和较高的开关速度,使其在高频工作条件下表现出色。其低开关损耗特性使得该产品在高频应用中可提供更高的效率,同时,较小的栅极驱动电流要求也能降低驱动电路的设计复杂度。
此外,该型号 MOSFET 的工作温度范围宽泛,能够在严苛环境中正常工作,顯著提升了产品的适用性和可靠性,特别是对于工业领域及汽车电子系统,其稳定性至关重要。
STD30NF06LT4 被广泛应用于以下领域:
STD30NF06LT4 作为一款高效的N沟道MOSFET,凭借其优越的电气特性、出色的热性能及广泛的应用适用性,成为各种现代电子设备中不可或缺的元配件。选择STD30NF06LT4,不仅能够提高整个系统的效率,更能在极端条件下提供稳定、可靠的性能。无论是在电源管理还是马达控制等领域,STD30NF06LT4都是值得优先考虑的理想选择。