STD30NF06LT4 产品实物图片
STD30NF06LT4 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

STD30NF06LT4

商品编码: BM0000285599
品牌 : 
ST(意法半导体)
封装 : 
DPAK
包装 : 
编带
重量 : 
1g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 70W 60V 35A 1个N沟道 DPAK
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
2.12
按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥2.12
--
2500+
¥2.03
--
37500+
产品参数
产品手册
产品概述

STD30NF06LT4参数

类型1个N沟道漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)35A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)22mΩ@10V,18A
功率(Pd)70W阈值电压(Vgs(th)@Id)1.7V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)31nC@48V输入电容(Ciss@Vds)1.6nF@25V
反向传输电容(Crss@Vds)60pF@25V工作温度-55℃~+175℃

STD30NF06LT4手册

STD30NF06LT4概述

STD30NF06LT4 产品概述

一、产品简介

STD30NF06LT4 是一款高性能N沟道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),由意法半导体(STMicroelectronics)制造。该MOSFET专为高效的开关和放大应用而设计,具有优秀的电气性能,广泛应用于电源管理、马达驱动和高频开关电源等领域。其具有60V的漏源电压(Vdss)、35A的连续漏极电流(Id)以及高达70W的功率耗散能力,使其成为需要高功率和高效能的应用场景的理想选择。

二、主要特性

  1. 电气性能

    • 漏源电压(Vdss):60V
    • 连续漏极电流(Id):在25°C下可达35A,适合高电流应用。
    • 漏源导通电阻(Rds(on)):在18A和10V时为28mΩ,提供低导通损耗,降低系统热量积累。
    • 栅源极阈值电压(Vgs(th)): 2.5V @ 250µA,使得阈值启动更为高效,推动更低的驱动电压。
    • 栅极电荷(Qg):最大值为31nC @ 5V,表明在开关过程中需要的驱动能力相对较小,有助于提升开关频率。
  2. 结构和封装

    • 工作温度范围:-55°C至175°C,适合恶劣环境下的应用,保证了芯片在高温和低温下的稳定性和可靠性。
    • 封装类型:采用DPAK表面贴装型封装(TO-252-3),方便在自动化生产中高效焊接,同时也适合个别元件的手工装配。
  3. 热特性

    • 最大功率耗散:70W(在 Tc=25°C 时)提供了良好的散热性能,适应各种功率应用。
  4. 应用场景

    • 广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、开关电源、马达控制以及其它需要高效开关的电子设备中。

三、技术优势

STD30NF06LT4 采用现代化的MOSFET制造工艺,具有极低的导通电阻和较高的开关速度,使其在高频工作条件下表现出色。其低开关损耗特性使得该产品在高频应用中可提供更高的效率,同时,较小的栅极驱动电流要求也能降低驱动电路的设计复杂度。

此外,该型号 MOSFET 的工作温度范围宽泛,能够在严苛环境中正常工作,顯著提升了产品的适用性和可靠性,特别是对于工业领域及汽车电子系统,其稳定性至关重要。

四、应用领域

STD30NF06LT4 被广泛应用于以下领域:

  • 电源管理:用于AC-DC和DC-DC转换器中,实现高效能的电能转换。
  • 马达驱动:适用于工业级和家用电器的马达控制电路。
  • 开关电源(SMPS):高频开关电源中用于提高能效,减少热损耗。
  • 逆变器:太阳能逆变器、UPS系统等高功率逆变应用中。

五、总结

STD30NF06LT4 作为一款高效的N沟道MOSFET,凭借其优越的电气特性、出色的热性能及广泛的应用适用性,成为各种现代电子设备中不可或缺的元配件。选择STD30NF06LT4,不仅能够提高整个系统的效率,更能在极端条件下提供稳定、可靠的性能。无论是在电源管理还是马达控制等领域,STD30NF06LT4都是值得优先考虑的理想选择。