类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 600V |
连续漏极电流(Id) | 2.4A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 3.6Ω@10V,1.2A |
功率(Pd) | 20W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 3V@50uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 11.8nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 311pF@25V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 26pF@0到480V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
STD3NK60Z-1是由意法半导体(STMicroelectronics)制造的一款高性能N沟道MOSFET场效应管,具有极高的耐压特性和优异的开关性能。这款MOSFET的主要参数包括漏源极电压(Vdss)达600V,连续漏极电流(Id)为2.4A,适合在多种高压应用中使用。凭借其封装形式TO-251-3短引线(IPak),该器件不仅便于安装并且确保了良好的散热性能。
产品在不同条件下的导通电阻(Rds On)具有出色的表现,例如,在1.2A和10V的栅极电压下,最大导通电阻为3.6欧姆。这一参数不仅提高了开关的效率,而且在高负载情况下减少了热量的产生,使得系统的整体效率得以提升。此外,该器件在Vgs阈值(Vgs(th))为最大4.5V(@ 50µA)时,能够在较低的栅极驱动电压下进行开关操作,进一步提升了系统的设计灵活性。
STD3NK60Z-1 MOSFET广泛应用于各种电子电路和设备中,尤其适用于以下几个方面:
总的来说,STD3NK60Z-1作为意法半导体的一款高性能N沟道MOSFET,凭借其卓越的电气特性和广泛的应用适应性,将为各种电子设计提供理想的解决方案。无论是在电源、驱动、控制还是保护电路中,都能够发挥其优越的性能表现,确保系统的高效、稳定与可靠。在设计选择中,STD3NK60Z-1无疑是一个值得考虑的优秀方案。