STF24NM60N
STF24NM60N参数
| 类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 600V |
| 连续漏极电流(Id) | 17A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 168mΩ@10V,8A |
| 功率(Pd) | 125W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2V@250uA |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 44nC@480V | 输入电容(Ciss@Vds) | 1.33nF@50V |
| 反向传输电容(Crss@Vds) | 3.2pF@50V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
STF24NM60N手册
STF24NM60N概述
STF24NM60N 产品概述
STF24NM60N 是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款高性能 N 通道功率 MOSFET，其关键参数包括最大漏源电压(Vdss)为 600V、连续漏极电流(Id)达到 17A，充分满足高电压和大电流应用的需求，尤其适用于电力转换、逆变器、电动机驱动等要求较高的功率电子设备。
主要参数
漏源电压（Vdss）： STF24NM60N 具有600V的高耐压特性，适合在高电压电源和逆变器等场合下使用。这种高电压能力使其在工业电源、家用电器以及电动汽车等领域得到广泛应用。
连续漏极电流（Id）： 该器件在25°C环境温度下的连续漏极电流为17A。该特性确保了MOSFET能够在一定的温升条件下安全、有效地工作。在实际应用中，散热设计将对该参数发挥至关重要的作用。
导通电阻（Rds(on)）： 在8A、10V驱动电压条件下，STF24NM60N的漏源导通电阻达到190mΩ。较低的导通电阻意味着在正常运行时器件的热损耗较小，从而提高电路的整体效率。
驱动电压（Vgs）： 此MOSFET的驱动电压在10V时能够实现最佳性能，最大栅源极阈值电压为±30V，确保了在不同的驱动环境下均能够稳定工作。
栅极电荷（Qg）： 在10V的驱动电压下，栅极电荷为46nC，为设计高频开关电源提供了优势，使其在高频开关操作中具备良好的性能。
输入电容（Ciss）： 在50V下，输入电容(Ciss)最大值为1400pF，表明在开关操作时具有相对较低的输入电流，减小了对驱动电路的负担。
工作温度范围： STF24NM60N 支持的工作温度从-55°C到150°C，不仅满足了普通应用的需求，同时也适配了恶劣环境下的应用，可以在严苛的条件下保持稳定运行。
功率耗散： 该器件的最大功率耗散可达到30W（Tc），这进一步提升了其在功率密集型应用中的可靠性和稳定性。
封装类型： STF24NM60N采用TO-220FP封装，适合于通孔安装，方便散热设计，尤其适用于高功率条件下的应用，能够有效传播器件的热量。
应用领域
STF24NM60N广泛应用于多种高压、大电流的电源转化设备中，如：
- 开关电源：在AC-DC电源转换中，能够处理高电压的输入、输出要求。
- 逆变器：在绿色能源和电动汽车应用中的逆变器设计中，它的高电压与电流处理能力提供了可靠的解决方案。
- 电机驱动：可用于多种电机控制电路，特别是对于需要平滑启动和高功率输出的电机驱动器。
- 工业控制：适用于各种工业设备中的功率管理和控制。
总结
STF24NM60N作为一款可靠、高效的N通道MOSFET，凭借其600V的高电压能力、17A的电流承载能力及低导通电阻，成为了各类功率电子应用中的理想选择。其高温工作范围和有效的热管理性能使其在各种应用中都具备卓越的适应性，能够满足不断变化的市场需求。