类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 1kV |
连续漏极电流(Id) | 2.5A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 6Ω@10V,1.25A |
功率(Pd) | 25W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4.5V@50uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 18nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 601pF@25V |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
STF3NK100Z 是一款高性能的 N 沟道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),其静态漏源电压(Vdss)高达1000V,适用于多种高压应用。此器件结合了优越的电气性能和可靠性,是电源管理、开关电源以及电机控制等领域的理想选择。
高电压能力: STF3NK100Z 的 1000V 漏源电压使其能够承受高电压电源的苛刻工作条件,扩展了其应用的广泛性。
优异的导通性能: 该器件在较低驱动电压(10V)下的导通电阻仅为6Ω,意味着在开关状态下损耗较小,从而提高系统的整体效率。
高温工作范围: STF3NK100Z 可在 -55°C 至 150°C 的温度范围内稳定工作,这一特性使其适用于恶劣环境下的应用,例如工业控制、汽车电子和航空航天。
快速开关特性: 该器件具有较小的栅极电荷(Qg),这意味着在高频应用中,可以快速切换,大大提高了开关频率,优化了系统的响应速度。
良好的散热性能: 能够承受较高的功率耗散(25W),配合TO-220封装,有利于实现良好的散热效果,确保器件在高功率应用中的稳定性。
STF3NK100Z 异常适用于以下几类应用:
STF3NK100Z 可以与各种控制电路组合使用。例如,在开关电源设计中,可以作为主开关与PWM控制器一起使用,从而实现高效率的电能转换。在电机控制应用中,结合微控制器和驱动电路,STF3NK100Z 还可以实现精确的速度和位置控制。
STF3NK100Z 是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款集高功能、高效率、高温性能于一体的 N 沟道 MOSFET,适用于多种高压、高功率的应用场合。凭借其卓越的电气性能和可靠性,STF3NK100Z 为设计工程师提供了更大灵活性和优化方案,成为现代电子设计中不容错过的优质元件。