STF3NK100Z

STF3NK100Z 产品概述

概述

STF3NK100Z 是一款高性能的 N 沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），其静态漏源电压(Vdss)高达1000V，适用于多种高压应用。此器件结合了优越的电气性能和可靠性，是电源管理、开关电源以及电机控制等领域的理想选择。

主要参数

• 漏源电压（Vdss）: 1000V
• 连续漏极电流（Id）: 2.5A（在 Tc = 25°C 时）
• 栅源极阈值电压（Vgs(th)）: 4.5V @ 50µA
• 漏源导通电阻（Rds(on)）: 6Ω @ 1.25A, 10V
• 最大功率耗散: 25W（在 Ta = 25°C 时）
• 栅极电荷（Qg）: 18nC @ 10V
• 输入电容（Ciss）: 601pF @ 25V
• 工作温度范围: -55°C 至 150°C
• 封装类型: TO-220-3

特性与优势

1. 高电压能力: STF3NK100Z 的 1000V 漏源电压使其能够承受高电压电源的苛刻工作条件，扩展了其应用的广泛性。

2. 优异的导通性能: 该器件在较低驱动电压（10V）下的导通电阻仅为6Ω，意味着在开关状态下损耗较小，从而提高系统的整体效率。

3. 高温工作范围: STF3NK100Z 可在 -55°C 至 150°C 的温度范围内稳定工作，这一特性使其适用于恶劣环境下的应用，例如工业控制、汽车电子和航空航天。

4. 快速开关特性: 该器件具有较小的栅极电荷（Qg），这意味着在高频应用中，可以快速切换，大大提高了开关频率，优化了系统的响应速度。

5. 良好的散热性能: 能够承受较高的功率耗散（25W），配合TO-220封装，有利于实现良好的散热效果，确保器件在高功率应用中的稳定性。

应用场景

STF3NK100Z 异常适用于以下几类应用：

• 开关电源: 在高压开关电源中作为主开关元件，提供高效、稳定的电能转换。
• 电机驱动: 用于电机控制电路中，作为功率开关器件，控制电机的启停和调速，优化电机的工作效率。
• 高压电源: 在需要高电压、高功率输出的系统中，STF3NK100Z 作为关键的开关元件，保证系统的正常运作。
• 智能家居设备: 在智能家居的电源管理中，提供更安全、更高效的电能控制。

典型应用电路

STF3NK100Z 可以与各种控制电路组合使用。例如，在开关电源设计中，可以作为主开关与PWM控制器一起使用，从而实现高效率的电能转换。在电机控制应用中，结合微控制器和驱动电路，STF3NK100Z 还可以实现精确的速度和位置控制。

总结

STF3NK100Z 是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款集高功能、高效率、高温性能于一体的 N 沟道 MOSFET，适用于多种高压、高功率的应用场合。凭借其卓越的电气性能和可靠性，STF3NK100Z 为设计工程师提供了更大灵活性和优化方案，成为现代电子设计中不容错过的优质元件。