STF3NK100Z 产品实物图片
STF3NK100Z 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

STF3NK100Z

商品编码: BM0000285609
品牌 : 
ST(意法半导体)
封装 : 
TO-220-3 整包
包装 : 
管装
重量 : 
1g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 25W 1kV 2.5A 1个N沟道 TO-220FP
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
3.89
按整 :
管(1管有1000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥3.89
--
1000+
¥3.73
--
15000+
产品参数
产品手册
产品概述

STF3NK100Z参数

类型1个N沟道漏源电压(Vdss)1kV
连续漏极电流(Id)2.5A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)6Ω@10V,1.25A
功率(Pd)25W阈值电压(Vgs(th)@Id)4.5V@50uA
栅极电荷(Qg@Vgs)18nC@10V输入电容(Ciss@Vds)601pF@25V
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)

STF3NK100Z手册

STF3NK100Z概述

STF3NK100Z 产品概述

概述

STF3NK100Z 是一款高性能的 N 沟道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),其静态漏源电压(Vdss)高达1000V,适用于多种高压应用。此器件结合了优越的电气性能和可靠性,是电源管理、开关电源以及电机控制等领域的理想选择。

主要参数

  • 漏源电压(Vdss): 1000V
  • 连续漏极电流(Id): 2.5A(在 Tc = 25°C 时)
  • 栅源极阈值电压(Vgs(th)): 4.5V @ 50µA
  • 漏源导通电阻(Rds(on)): 6Ω @ 1.25A, 10V
  • 最大功率耗散: 25W(在 Ta = 25°C 时)
  • 栅极电荷(Qg): 18nC @ 10V
  • 输入电容(Ciss): 601pF @ 25V
  • 工作温度范围: -55°C 至 150°C
  • 封装类型: TO-220-3

特性与优势

  1. 高电压能力: STF3NK100Z 的 1000V 漏源电压使其能够承受高电压电源的苛刻工作条件,扩展了其应用的广泛性。

  2. 优异的导通性能: 该器件在较低驱动电压(10V)下的导通电阻仅为6Ω,意味着在开关状态下损耗较小,从而提高系统的整体效率。

  3. 高温工作范围: STF3NK100Z 可在 -55°C 至 150°C 的温度范围内稳定工作,这一特性使其适用于恶劣环境下的应用,例如工业控制、汽车电子和航空航天。

  4. 快速开关特性: 该器件具有较小的栅极电荷(Qg),这意味着在高频应用中,可以快速切换,大大提高了开关频率,优化了系统的响应速度。

  5. 良好的散热性能: 能够承受较高的功率耗散(25W),配合TO-220封装,有利于实现良好的散热效果,确保器件在高功率应用中的稳定性。

应用场景

STF3NK100Z 异常适用于以下几类应用:

  • 开关电源: 在高压开关电源中作为主开关元件,提供高效、稳定的电能转换。
  • 电机驱动: 用于电机控制电路中,作为功率开关器件,控制电机的启停和调速,优化电机的工作效率。
  • 高压电源: 在需要高电压、高功率输出的系统中,STF3NK100Z 作为关键的开关元件,保证系统的正常运作。
  • 智能家居设备: 在智能家居的电源管理中,提供更安全、更高效的电能控制。

典型应用电路

STF3NK100Z 可以与各种控制电路组合使用。例如,在开关电源设计中,可以作为主开关与PWM控制器一起使用,从而实现高效率的电能转换。在电机控制应用中,结合微控制器和驱动电路,STF3NK100Z 还可以实现精确的速度和位置控制。

总结

STF3NK100Z 是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款集高功能、高效率、高温性能于一体的 N 沟道 MOSFET,适用于多种高压、高功率的应用场合。凭借其卓越的电气性能和可靠性,STF3NK100Z 为设计工程师提供了更大灵活性和优化方案,成为现代电子设计中不容错过的优质元件。