STF9NK90Z

STF9NK90Z 产品概述

产品介绍

STF9NK90Z 是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款高性能 N 沟道功率 MOSFET，主要用于高压开关电源、电机驱动和各类功率管理应用。这款 MOSFET 具有高达 900V 的漏源电压能力和 8A 的连续漏极电流（在 25°C 时），在功耗和效率方面表现优异，适合于要求严苛的工业和消费领域。

主要参数

• 漏源电压 (Vdss): 900V
• 连续漏极电流 (Id): 8A (Tc = 25°C)
• 栅源极阈值电压 (Vgs(th)): 4.5V @ 100µA
• 漏源导通电阻 (Rds(on)): 1.3Ω @ 3.6A，10V
• 最大功率耗散: 40W (Tc = 25°C)
• 工作温度范围: -55°C 至 150°C
• 栅极电荷 (Qg): 72nC @ 10V
• 输入电容 (Ciss): 2115pF @ 25V

封装信息

STF9NK90Z 使用 TO-220-3 （TO-220FP）封装，这种封装形式提供了优良的散热特性，适合在功率应用中使用。通孔安装方式便于 PCB 布局，并保证良好的电气连接。

应用领域

STF9NK90Z 主要应用于以下领域：

1. 开关电源: 在高压和高效率需求的开关电源中，MOSFET 可以作为开关元件，高效地控制电源的通断，从而实现稳定及高效的电源转换。
2. 电机驱动: 本产品可以用于直流或步进电机的驱动，通过快速开关实现对电机转速和扭矩的有效控制。
3. 电源管理: 该 MOSFET 可以用于各种电源管理应用中，如 DC-DC 转换器、高频开关等。
4. 工业控制: 在工业自动化领域，STF9NK90Z 可以作为开关元件，控制各类设备的开关状态。

产品优势

• 高耐压: 900V 的漏源电压使得 STF9NK90Z 能够应对许多高压应用而无需额外的保护电路。
• 低导通电阻: 1.3Ω 的低 Rds(on) 值降能够大幅降低导通损耗，提高整个电路的工作效率。
• 高温耐受性: 适宜的工作温度范围 (-55°C 至 150°C) 使其在多种极端环境下均能稳定工作，满足不同应用需求。
• 良好的热性能: TO-220 封装提供了良好的散热能力，使得这个 MOSFET 能够承受更高的功率而不易过热。

总结

STF9NK90Z 作为一款高性能 N 沟道 MOSFET，凭借其 900V 的耐压、8A 的额定电流、出色的导通电阻以及宽广的工作温度范围，成为了电子工程师在高压和高性能应用中的理想选择。无论是在开关电源、工业自动化还是电机驱动领域，STF9NK90Z 都显示出其卓越的性能和可靠性，是电子设计中的一枚重要基础元件。随着可再生能源和智能电网的快速发展，其市场需求仍将在未来继续增长。