集射极击穿电压(Vces) | 600V | 集电极电流(Ic) | 20A |
功率(Pd) | 65W | 栅极阈值电压(Vge(th)@Ic) | 2.5V@15V,5A |
栅极电荷(Qg@Ic,Vge) | 19nC | 开启延迟时间(Td(on)) | 17ns |
关断延迟时间(Td(off)) | 72ns | 导通损耗(Eon) | 0.055mJ |
关断损耗(Eoff) | 0.085mJ | 反向恢复时间(Trr) | 22ns |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
产品简介
STGB10NC60KDT4 是由意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款高性能绝缘栅双极晶体管(IGBT),其设计旨在满足高电压和高电流应用的需求。这款 IGBT 具有优异的开关性能和热稳定性,是电机驱动器、电源转换器和其他工业设备中电源管理的重要组成部分。
关键特性
电压和电流规格
STGB10NC60KDT4 具备具备 600V 的集射极击穿电压(VCE(max)),适合高压应用。其最大集电极电流 (Ic) 为 20A,能够满足多种高功率应用的要求。此外,最大脉冲电流 Icm 达到 30A,极大提升了其适用范围。
功率等级
本产品的最大功率输出为 65W,适合需要额外功率处理的设备。
开关特性
STGB10NC60KDT4 的开关时间具有出色的性能,开关延迟时间 (Td) 分别在 25°C 条件下为 17ns(开)和 72ns(关)。这表明其在高频率运用中的高效性。此外,反向恢复时间 (trr) 为 22ns,这一特性使其在开关电源及逆变器等应用中的表现尤为突出。
栅极电荷
该器件的栅极电荷为 19nC,具有标准输入类型,意味着其在驱动电路设计中的兼容性高,有利于简化驱动电路的复杂性。
工作温度范围
STGB10NC60KDT4 可在广泛的工作温度范围内稳定运行,从 -55°C 到 +150°C。这样的特性拖延了设备在严酷环境下的可靠性与耐久性,使其非常适合工业环境和高温应用。
封装与安装
该 IGBT 采用 D2PAK 封装(TO-263-3,D²Pak),是一种表面贴装(SMT)类型,这种封装有助于提高热管理能力,同时方便自动化装配。
湿气敏感性等级 (MSL)
STGB10NC60KDT4 的湿气敏感性等级为 1(无限),这意味着在存储和使用过程中不需要特别的干燥措施。
应用领域
得益于其优秀的电气特性,STGB10NC60KDT4 被广泛应用于多个领域,包括但不限于:
总结
STGB10NC60KDT4 是一款具有高耐压、高电流和优异开关性能的 IGBT 解决方案,非常适合各类高功率应用。凭借意法半导体的技术积淀和品质保证,这款 IGBT 为设计人员提供了一种可靠且高效的选择,尤其是在电机控制和电源转换等应用领域。无论在汽车、工业还是消费电子等多个市场,STGB10NC60KDT4 都能够满足广泛的使用需求,体现出其卓越的工程价值。