IGBT类型 | FS(场截止) | 集射极击穿电压(Vces) | 650V |
集电极电流(Ic) | 80A | 功率(Pd) | 283W |
栅极阈值电压(Vge(th)@Ic) | 2V@15V,40A | 栅极电荷(Qg@Ic,Vge) | 210nC |
开启延迟时间(Td(on)) | 40ns | 关断延迟时间(Td(off)) | 142ns |
导通损耗(Eon) | 0.498mJ | 关断损耗(Eoff) | 0.363mJ |
反向恢复时间(Trr) | 62ns | 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
STGW40H65DFB是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的高性能绝缘栅双极型晶体管(IGBT),其主要特点包括650V的高集射极击穿电压(Vce),40A的典型集电极电流(Ic)以及最大脉冲电流可达160A,适用于功率转换和电机驱动等众多应用。这种IGBT管的设计采用了沟槽型场截止技术,并封装在TO-247-3的通孔样式中,具备良好的散热特性,适应更高的工作温度范围(-55°C至175°C)。
电流与功率处理能力
电压规格
开关特性与能量损耗
栅极特性
热特性
湿气敏感性
STGW40H65DFB IGBT在多个领域都有广泛应用,包括但不限于:
STGW40H65DFB IGBT以其650V的高电压、80A的高电流能力及优异的开关特性,成为高效能领域中的理想选择。其优秀的热管理能力和广泛的应用适用性,使得这一器件特别适合于高频和高功率的电子产品。凭借STMicroelectronics作为供应商的声誉和可靠性,STGW40H65DFB无疑是许多工程师在设计高效电能转换及电机控制系统中的优质选材。