STP75NF75
品牌 :
ST(意法半导体)
封装 :
TO-220AB
包装 :
管装
重量 :
2.74g
描述 :
场效应管(MOSFET) 300W 75V 80A 1个N沟道 TO-220
库存 :
55(起订量1,增量1)
批次 :
2年内数量 :
X
3.31按整 :
管(1管有1000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥3.31
--
100+
￥2.64
--
1000+
￥2.45
--
15000+
产品参数
产品手册
产品概述
STP75NF75参数
| 漏源电压（Vdss） | 75V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 80A |
| 栅源极阈值电压 | 4V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 11mΩ @ 40A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 300W | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 80A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 11 毫欧 @ 40A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 160nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 3700pF @ 25V | 功率耗散（最大值） | 300W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） | 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-220AB | 封装/外壳 | TO-220-3 |
STP75NF75手册
STP75NF75概述
STP75NF75产品概述
一、基本信息
STP75NF75是一款强大的N沟道MOSFET（场效应管），由意法半导体（STMicroelectronics）生产，旨在满足高功率、高效率电子应用的需求。该器件具有出色的电气特性和广泛的工作温度范围，使其在工业和消费电子领域中非常适用。
二、关键参数
漏源电压（Vdss）: 75V
- STP75NF75的漏源电压额定值为75V，这使其能够处理相对高的电压应用，适用于电源管理、电动机驱动和开关电源等领域。
连续漏极电流（Id）: 80A（在25°C时）
- 该器件的连续漏极电流在25°C下可达80A，确保在高负载下的稳定工作，适合大功率马达驱动及功率转换器应用。
栅源极阈值电压（Vgs(th)）: 4V @ 250µA
- 栅源极阈值电压为4V，意味着该设备可在较低的栅压下开启，非常适合低电压驱动电路。
漏源导通电阻（Rds(on)）: 11mΩ @ 40A, 10V
- 低导通电阻意味着在工作时能量损耗较少，从而提高系统效率，降低发热，适合对能源效率要求严格的应用场景。
最大功率耗散: 300W（在Tc=25°C时）
- 该MOSFET拥有高达300W的功率耗散能力，能够应对高功率应用的严苛要求，如电源整流、功率放大等。
工作温度范围: -55°C ~ 175°C
- STP75NF75的宽广温度范围使其能够在极端环境中稳定工作，适应军事、航空航天等领域的需求。
封装类型: TO-220AB
- 采用TO-220AB封装，具有良好的散热特性，适合于需要高功率传输的应用。此外，通孔安装设计便于在各种电路板上轻松集成。
三、应用场景
STP75NF75因其卓越的电气性能和可靠的耐用性，适用于多种应用场景，包括但不限于：
- 开关电源: 优化电能转换效果，提高能量传递效率。
- 电动机驱动: 提供稳定的驱动电流，促进电动机在各种条件下高效工作。
- 电源管理: 用于DC-DC转换器、升压和降压转换器，确保电压稳定性。
- 汽车电子: 在高温、高电流环境中，STP75NF75的稳定性使其非常适合用于汽车电源管理和电子控制单元（ECU）中。
四、优势
- 高效能: 由于低导通电阻，STP75NF75能够在降低功耗的同时提高传输效率。
- 高可靠性: 穿越-55°C至175°C的工作温度范围，使得该器件在极端环境下工作也能保持出色的性能。
- 易于散热: TO-220封装为高功率应用提供良好的散热效率，确保长时间稳定运行。
五、总结
STP75NF75是一款高效、可靠的N沟道MOSFET，广泛应用于高功率和高效率的电子设备中。无论是在工业自动化、消费电子还是汽车领域，它都能提供卓越的性能和可靠性，是设计工程师在选择功率开关元件时的理想选择。凭借意法半导体的技术优势和优质保证，STP75NF75将最大限度地满足现代电子系统对性能和效率的要求。