类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 75V |
连续漏极电流(Id) | 80A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 11mΩ@10V,40A |
功率(Pd) | 300W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 160nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 3.7nF@25V |
工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
STP75NF75是一款强大的N沟道MOSFET(场效应管),由意法半导体(STMicroelectronics)生产,旨在满足高功率、高效率电子应用的需求。该器件具有出色的电气特性和广泛的工作温度范围,使其在工业和消费电子领域中非常适用。
漏源电压(Vdss): 75V
连续漏极电流(Id): 80A(在25°C时)
栅源极阈值电压(Vgs(th)): 4V @ 250µA
漏源导通电阻(Rds(on)): 11mΩ @ 40A, 10V
最大功率耗散: 300W(在Tc=25°C时)
工作温度范围: -55°C ~ 175°C
封装类型: TO-220AB
STP75NF75因其卓越的电气性能和可靠的耐用性,适用于多种应用场景,包括但不限于:
STP75NF75是一款高效、可靠的N沟道MOSFET,广泛应用于高功率和高效率的电子设备中。无论是在工业自动化、消费电子还是汽车领域,它都能提供卓越的性能和可靠性,是设计工程师在选择功率开关元件时的理想选择。凭借意法半导体的技术优势和优质保证,STP75NF75将最大限度地满足现代电子系统对性能和效率的要求。