类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 800V |
连续漏极电流(Id) | 5.2A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 1.8Ω@10V,2.6A |
功率(Pd) | 125W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4.5V@100uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 56nC@640V | 输入电容(Ciss@Vds) | 1.138nF@25V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 25pF@25V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
STP7NK80Z是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的N沟道MOSFET,采用TO-220AB封装。这款MOSFET的设计专注于高电压和高功率应用,提供优越的电气性能,广泛应用于电源转换、马达控制和工业自动化等领域。其关键参数包括漏源电压(Vdss)为800V,连续漏极电流(Id)为5.2A(在25°C时),以及最大功率耗散能力高达125W(在Tc条件下)。
漏源电压(Vdss): STP7NK80Z的漏源电压高达800V,使其在高压应用场合具有卓越的性能,能够处理较大的电压波动。
连续漏极电流(Id): 在25°C环境下,该器件的连续漏极电流达到5.2A(在接线端温度Tc条件下),这使得其在处理高电流负载时相当可靠。
导通电阻(Rds(on)): 本器件具有较低的漏源导通电阻为1.8Ω(在2.6A和10V条件下),这有助于减小能量损耗,提高能效。
最大功率耗散: STP7NK80Z的最大功率耗散为125W(在Tc条件下),体现了其在高功率应用中的稳定性和可靠性。
栅源极阈值电压(Vgs(th)): 该器件的栅源极阈值电压为4.5V(在100µA条件下),这意味着能够在较低的门电压下轻松开启,提高了其驱动的灵活性。
工作温度范围: STP7NK80Z可在-55°C到150°C的广泛温度范围内工作,保证了其在苛刻环境条件下的稳定表现。
封装与布局: 使用TO-220AB封装,便于通孔安装,适合多种PCB设计方案,尤其是在需要散热器散热的应用场合。
由于其高电压和高电流的能力,STP7NK80Z在多个领域都是优选元件,主要包括但不限于:
STP7NK80Z N沟道MOSFET是一款性能卓越的高电压、低电阻器件,适合在高功率和高频率应用中使用。凭借其可靠的电气性能、广泛的工作温度范围以及灵活的封装选择,STP7NK80Z成为电源管理、马达控制及工业应用中不可或缺的组件。无论是设计新系统还是更新升级现有电路,STP7NK80Z都能提供出色的性能支持,助力工程师实现更高效的设计和运行。