类型 | 2个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 60V |
连续漏极电流(Id) | 4A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 55mΩ@10V,2A |
功率(Pd) | 2W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.5V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 15nC@4.5V | 输入电容(Ciss@Vds) | 1.03nF@25V |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
STS4DNF60L 是由意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款双N沟道场效应管(MOSFET),适用于多种电子电路的开关和放大应用。凭借其卓越的电气性能和广泛的工作温度范围,该组件在诸如电源管理、电机控制和大功率应用等领域得到了广泛应用。
对于 STS4DNF60L,以下是一些关键参数:
STS4DNF60L 采用标准的 SO-8 封装(8-SO),其尺寸为 0.154"(约3.90mm)宽,适合表面贴装技术(SMD),有助于减小PCB尺寸,提高装配密度。同时,SO-8 封装提供良好的散热性能,确保在高负载条件下元件的稳定性。
作为一款高性能的双N沟道 MOSFET,STS4DNF60L 结合了高电压、高电流及低导通电阻的优势,是现代电子设备尤其是电源管理和驱动控制类应用的理想选择。意法半导体凭借其优质的产品和技术支持,赋予了该 MOSFET 更高的市场竞争力与开发灵活性。不论是在产业应用还是新兴科技领域,STS4DNF60L 都能为设计工程师提供高质量的解决方案。