STS4DNF60L 产品实物图片
STS4DNF60L 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

STS4DNF60L

商品编码: BM0000285662
品牌 : 
ST(意法半导体)
封装 : 
8-SO
包装 : 
编带
重量 : 
0.194g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 2W 60V 4A 2个N沟道 SO-8
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
1.77
按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.77
--
2500+
¥1.7
--
37500+
产品参数
产品手册
产品概述

STS4DNF60L参数

类型2个N沟道漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)4A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)55mΩ@10V,2A
功率(Pd)2W阈值电压(Vgs(th)@Id)2.5V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)15nC@4.5V输入电容(Ciss@Vds)1.03nF@25V
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)

STS4DNF60L手册

STS4DNF60L概述

STS4DNF60L 产品概述

一、产品简介

STS4DNF60L 是由意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款双N沟道场效应管(MOSFET),适用于多种电子电路的开关和放大应用。凭借其卓越的电气性能和广泛的工作温度范围,该组件在诸如电源管理、电机控制和大功率应用等领域得到了广泛应用。

二、基本参数

对于 STS4DNF60L,以下是一些关键参数:

  • 漏源电压(Vdss): 最高可达到 60V,使其能够在相对较高的电压环境下稳定工作。
  • 连续漏极电流(Id): 在 25°C 的条件下,最大额定电流为 4A,确保其在高负载情况下的可靠性。
  • 栅源极阈值电压(Vgs(th)): 较低的 2.5V @ 250µA,适合逻辑电平信号驱动,方便直接与微控制器等逻辑电路接口。
  • 漏源导通电阻(Rds(on)): 在 2A 和 10V 时,导通电阻低至 55mΩ,极大地降低了在导通状态下的功耗和发热。
  • 最大功率耗散: 功率损耗可达 2W @ 25°C,适合中等功率的应用场景。
  • 工作温度范围: 从 -55°C 到 150°C,便于在严苛环境下的工作。

三、结构与封装

STS4DNF60L 采用标准的 SO-8 封装(8-SO),其尺寸为 0.154"(约3.90mm)宽,适合表面贴装技术(SMD),有助于减小PCB尺寸,提高装配密度。同时,SO-8 封装提供良好的散热性能,确保在高负载条件下元件的稳定性。

四、特性与应用

  1. 高效能: 该 MOSFET 的低 Rds(on) 特性极大地提高了能量转换效率,特别适合在开关电源和电池管理系统中使用。
  2. 逻辑电平门功能: 设计为逻辑电平操作,能够直接用逻辑电平控制,不需要额外的驱动电路,极大简化了电路设计。
  3. 广泛的应用领域:
    • 电源管理: STS4DNF60L 可用于 DC-DC 转换器、逆变器等。
    • 电机控制: 能够在驳接电机驱动电路时,提供高效的开关控制。
    • LED 驱动: 适合用于高效率 LED 驱动方案,降低功耗并提高亮度。
    • 负载开关: 在各类负载开关应用中,确保可靠的电流通断,提升系统可靠性。

五、总结

作为一款高性能的双N沟道 MOSFET,STS4DNF60L 结合了高电压、高电流及低导通电阻的优势,是现代电子设备尤其是电源管理和驱动控制类应用的理想选择。意法半导体凭借其优质的产品和技术支持,赋予了该 MOSFET 更高的市场竞争力与开发灵活性。不论是在产业应用还是新兴科技领域,STS4DNF60L 都能为设计工程师提供高质量的解决方案。