类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 800V |
连续漏极电流(Id) | 11A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 350mΩ@10V,5.5A |
功率(Pd) | 150W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 43.6nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 1.63nF@25V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 30pF@25V | 工作温度 | -65℃~+150℃@(Tj) |
STW11NM80 是由意法半导体 (STMicroelectronics) 生产的一款高性能 N 通道 MOSFET,特别设计用于高电压和高电流应用。这款产品具有强大的电气性能和可靠的热稳定性,使其成为各种工业和消费电子产品中的理想选择。以下是关于 STW11NM80 的详细描述和应用分析。
STW11NM80 具有以下关键参数:
STW11NM80 采用 TO-247-3 封装,这种封装具有良好的热性能和电气特性,非常适合功率器件的应用。该封装采用通孔安装方式,能够方便地与散热器结合使用,提升元件的散热性能,使得在高功率条件下依然能够稳定运行。
STW11NM80 广泛应用于需要高电压和高电流处理能力的电子设备中,如:
STW11NM80 在设计上极具竞争优势,其多个特性使其能够在苛刻环境中保持高效工作:
STW11NM80 是一款结合了高性能与良好可靠性的 N 通道 MOSFET,其优异的电气特性和多样的应用潜力,使其成为了许多现代电子设备中不可或缺的组成部分。无论是在电源设计、电动汽车,还是工业控制领域,STW11NM80 都能提供必要的稳定性与效率,助力客户实现高效能设计和创新。