类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 800V |
连续漏极电流(Id) | 6.2A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 1.5Ω@10V,3.1A |
功率(Pd) | 140W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4.5V@100uA |
STW8NK80Z 是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的高压 N 沟道 MOSFET(场效应管),其具备高达 800V 的漏源电压(Vdss),允许的连续漏极电流(Id)为 6.2A(在 25°C 时),并且在高温环境下仍能保持良好的性能。这款 MOSFET 设计用于各种高效能的功率转换和控制应用,包括开关电源、逆变器以及电机驱动。
漏源电压(Vdss): 800V
连续漏极电流(Id): 6.2A(在 25°C 时)
栅源极阈值电压 (Vgs(th)): 4.5V @ 100µA
漏源导通电阻(Rds(on)): 1.5Ω @ 3.1A, 10V
最大功率耗散: 140W(在 Tc=25°C)
工作温度范围: -55°C 到 150°C
封装类型: TO-247-3
STW8NK80Z 广泛应用于各种电力电子设备和电源管理半导体产品,例如:
开关电源: 该器件在开关电源中常用作开关元件,以实现高效能的功率转换。
逆变器: 在可再生能源系统,如太阳能逆变器中,该 MOSFET 可用于 DC-AC 转换,有助于提高系统效率。
电机驱动: 在电动机控制领域中,此器件适用于各种电机控制技术,能够提供可靠的控制信号以及强大的驱动能力。
电源适配器: 用于电源适配器中,能够有效管理输入和输出的电压和电流。
高效能: 低导通电阻(Rds(on))能够最大化能量转换的效率,减少能量损失。
高压承载: 具备高达 800V 的耐压能力,适合多种高压电力应用。
优越的散热性能: TO-247-3 封装提供良好的散热通道,使其在高负载运行时保持良好工作温度。
宽温工作范围: 可以在-55°C ~ 150°C 的环境中稳定工作,使其适合于严苛的工业或汽车环境。
STW8NK80Z 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET,具备 800V 的极高耐压能力及 6.2A 的连续电流承载能力,适用于广泛的高效电源转换应用。凭借其卓越的性能特点和可靠性,它在开关电源、逆变器和电动机控制等领域中具有很大的市场潜力。此器件的问世不仅提升了功率电子产品的性能,也为设计工程师提供了更可靠的解决方案。随着对高效能、高可靠电力设备需求的不断增长,STW8NK80Z 将在未来的电子产品中继续发挥其重要作用。