STW8NK80Z 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

STW8NK80Z

商品编码: BM0000285676
品牌 : 
ST(意法半导体)
封装 : 
TO-247-3
包装 : 
管装
重量 : 
7.85g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 140W 800V 6.2A 1个N沟道 TO-247-3
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
5.29
按整 :
管(1管有600个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥5.29
--
600+
¥5.09
--
12000+
产品参数
产品手册
产品概述

STW8NK80Z参数

类型1个N沟道漏源电压(Vdss)800V
连续漏极电流(Id)6.2A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)1.5Ω@10V,3.1A
功率(Pd)140W阈值电压(Vgs(th)@Id)4.5V@100uA

STW8NK80Z手册

STW8NK80Z概述

STW8NK80Z 产品概述

一、基本信息

STW8NK80Z 是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的高压 N 沟道 MOSFET(场效应管),其具备高达 800V 的漏源电压(Vdss),允许的连续漏极电流(Id)为 6.2A(在 25°C 时),并且在高温环境下仍能保持良好的性能。这款 MOSFET 设计用于各种高效能的功率转换和控制应用,包括开关电源、逆变器以及电机驱动。

二、关键参数

  1. 漏源电压(Vdss): 800V

    • 该电压等级使得该器件能够在高压环境中稳定工作。
  2. 连续漏极电流(Id): 6.2A(在 25°C 时)

    • 这表明在规定的温度下,MOSFET 能以相对较优性能承载的电流值。
  3. 栅源极阈值电压 (Vgs(th)): 4.5V @ 100µA

    • 当前电流小于 100µA 时,栅电压达到 4.5V 时开始导通,这对电路设计的控制逻辑非常关键。
  4. 漏源导通电阻(Rds(on)): 1.5Ω @ 3.1A, 10V

    • 该导通电阻值在额定电流下比较低,有助于提高效率,降低功耗。
  5. 最大功率耗散: 140W(在 Tc=25°C)

    • 能够在高功率条件下正常工作,适合大功率应用。
  6. 工作温度范围: -55°C 到 150°C

    • 使其在极端温度环境中也能正常工作,适用于恶劣和高要求的条件。
  7. 封装类型: TO-247-3

    • 该封装形式不仅方便散热,同时也易于安装,适合于通孔安装。

三、应用领域

STW8NK80Z 广泛应用于各种电力电子设备和电源管理半导体产品,例如:

  • 开关电源: 该器件在开关电源中常用作开关元件,以实现高效能的功率转换。

  • 逆变器: 在可再生能源系统,如太阳能逆变器中,该 MOSFET 可用于 DC-AC 转换,有助于提高系统效率。

  • 电机驱动: 在电动机控制领域中,此器件适用于各种电机控制技术,能够提供可靠的控制信号以及强大的驱动能力。

  • 电源适配器: 用于电源适配器中,能够有效管理输入和输出的电压和电流。

四、性能优势

  1. 高效能: 低导通电阻(Rds(on))能够最大化能量转换的效率,减少能量损失。

  2. 高压承载: 具备高达 800V 的耐压能力,适合多种高压电力应用。

  3. 优越的散热性能: TO-247-3 封装提供良好的散热通道,使其在高负载运行时保持良好工作温度。

  4. 宽温工作范围: 可以在-55°C ~ 150°C 的环境中稳定工作,使其适合于严苛的工业或汽车环境。

五、总结

STW8NK80Z 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET,具备 800V 的极高耐压能力及 6.2A 的连续电流承载能力,适用于广泛的高效电源转换应用。凭借其卓越的性能特点和可靠性,它在开关电源、逆变器和电动机控制等领域中具有很大的市场潜力。此器件的问世不仅提升了功率电子产品的性能,也为设计工程师提供了更可靠的解决方案。随着对高效能、高可靠电力设备需求的不断增长,STW8NK80Z 将在未来的电子产品中继续发挥其重要作用。