SUD09P10-195-GE3

SUD09P10-195-GE3 产品概述

一、产品简介

SUD09P10-195-GE3 是一款高性能 P 沟道 MOSFET，由国际知名电子元器件制造商 VISHAY（威世）生产。该器件以其出色的电气性能和广泛的应用场景，为电子设计工程师提供了可靠的解决方案。其典型参数包括漏源电压（Vdss）为 100V，连续漏极电流（Id）在 25°C 时可达到 8.8A。这些特性使得 SUD09P10-195-GE3 特别适合用于电源管理、马达驱动和其他高电流应用领域。

二、技术参数

1. 漏源电压（Vdss）: 100V

   • 该值表示器件能够承受的最大电压，适用于高压供电系统。

2. 连续漏极电流（Id）: 8.8A（Tc）

   • 表示在特定临界条件下，器件能够支持的稳定电流。

3. 栅源阈值电压（Vgs(th)）: 2.5V @ 250µA

   • 此参数定义了驱动器件所需的最小栅源电压，确保器件正常开启。

4. 漏源导通电阻（Rds(on)）: 195mΩ @ 3.6A，Vgs=10V

   • 低的导通电阻有助于降低在正常工作条件下的功率损耗，从而提高能效。

5. 最大功率耗散:

   • 在 Ta=25°C 时为 2.5W，而在 Tc 条件下可达 32.1W，这使得该元器件适合多种工作环境。

6. 驱动电压: 4.5V，10V

   • 表示器件在此电压下表现最佳，有助于确保高效开关。

7. 栅极电荷（Qg）: 34.8nC @ 10V

   • 更高的电荷意味着在高频开关时的驱动功耗更低，适合于快速开关应用。

8. 工作温度范围: -55°C ~ 150°C

   • 广泛的温度范围使其适用于汽车、航天等对于工作环境要求严格的行业。

9. 封装形式: TO-252（D-Pak）

   • 表面贴装型封装设计，适合自动化贴装，节约空间并提高散热性能。

三、应用领域

SUD09P10-195-GE3 产品广泛应用于以下几个领域：

1. 电源管理: 包括开关电源、DC-DC 转换器以及稳压电源，帮助提高电源的能效和可靠性。

2. 马达驱动: 在电机驱动应用中，MOSFET的快速开关时间和低导通损耗能够有效提升系统的整体效率。

3. 汽车电子: 在现代汽车中，P 沟道 MOSFET 常用于电源分配和电机控制，因为它们在高电压和高电流条件下也能稳定工作。

4. 充电系统: 适合于电动汽车和高性能锂电池充电器中的功率开关。

四、总结

SUD09P10-195-GE3 是一款性能优越的 P 沟道 MOSFET，凭借其可靠的电气特性和稳定的工作能力，在多个应用场景中表现出色。无论是在高压电源、马达控制还是其他具有高功率要求的场合，该 MOSFET 都能够提供极高的控制精度与能效，为电子产品的高效运行提供良好的保障。选用 SUD09P10-195-GE3，可以为您的设计带来更为合理的解决方案，进而加速产品的开发与市场推广。