类型 | 1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 100V |
连续漏极电流(Id) | 8.8A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 195mΩ@10V,3.6A |
功率(Pd) | 2.5W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.5V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 17.6nC@4.5V | 输入电容(Ciss@Vds) | 1.055nF@50V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 34.8pF@50V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
SUD09P10-195-GE3 是一款高性能 P 沟道 MOSFET,由国际知名电子元器件制造商 VISHAY(威世)生产。该器件以其出色的电气性能和广泛的应用场景,为电子设计工程师提供了可靠的解决方案。其典型参数包括漏源电压(Vdss)为 100V,连续漏极电流(Id)在 25°C 时可达到 8.8A。这些特性使得 SUD09P10-195-GE3 特别适合用于电源管理、马达驱动和其他高电流应用领域。
漏源电压(Vdss): 100V
连续漏极电流(Id): 8.8A(Tc)
栅源阈值电压(Vgs(th)): 2.5V @ 250µA
漏源导通电阻(Rds(on)): 195mΩ @ 3.6A,Vgs=10V
最大功率耗散:
驱动电压: 4.5V,10V
栅极电荷(Qg): 34.8nC @ 10V
工作温度范围: -55°C ~ 150°C
封装形式: TO-252(D-Pak)
SUD09P10-195-GE3 产品广泛应用于以下几个领域:
电源管理: 包括开关电源、DC-DC 转换器以及稳压电源,帮助提高电源的能效和可靠性。
马达驱动: 在电机驱动应用中,MOSFET的快速开关时间和低导通损耗能够有效提升系统的整体效率。
汽车电子: 在现代汽车中,P 沟道 MOSFET 常用于电源分配和电机控制,因为它们在高电压和高电流条件下也能稳定工作。
充电系统: 适合于电动汽车和高性能锂电池充电器中的功率开关。
SUD09P10-195-GE3 是一款性能优越的 P 沟道 MOSFET,凭借其可靠的电气特性和稳定的工作能力,在多个应用场景中表现出色。无论是在高压电源、马达控制还是其他具有高功率要求的场合,该 MOSFET 都能够提供极高的控制精度与能效,为电子产品的高效运行提供良好的保障。选用 SUD09P10-195-GE3,可以为您的设计带来更为合理的解决方案,进而加速产品的开发与市场推广。