ZXMN10A11GTA

ZXMN10A11GTA 产品概述

ZXMN10A11GTA是一款高性能的N沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），专为需要高效率和低导通电阻的应用场合设计。该器件由美台（DIODES）公司生产，采用SOT-223封装，具备优异的热稳定性和功率处理能力，广泛应用于开关电源、马达驱动、LED驱动及其他高频的功率控制场合。

主要技术参数

• 漏源电压（Vdss）: 100V，适合用于高电压应用。
• 最大漏极电流（Id）: 1.7A（在25°C时），提供有效的电流处理能力。
• 栅源阈值电压: 4V @ 250µA，适合与低电压驱动电路匹配。
• 漏源导通电阻（Rds On）: 在2.6A、10V条件下为350毫欧，确保低功率损耗和高效率的电流传输。
• 最大功率耗散: 在25°C环境温度下可达到2W，适合中等功率应用。
• 工作温度范围: -55°C至150°C，能够在苛刻的环境下稳定工作。

性能特性

ZXMN10A11GTA具备极佳的导通性能和较低的导通电阻，尤其在高电压和高负载的场合显示出其优秀的电流承载能力。此外，其最大栅极电压（Vgs）可达到±20V，使其在不同控制信号下均能保持稳定的工作状态。0-10V驱动电压下，Qg（栅极电荷）最大为5.4nC，提供良好的开关速度，适应快速开关应用的需求。

应用领域

1. 开关电源：ZXMN10A11GTA能够在开关电源中高效控制和转换电能，提供稳定的输出。
2. 直流电机驱动：在电机启动和控制过程中，该MOSFET能高效地管理电流，确保电机平稳启动。
3. LED照明驱动：适合用于LED驱动电路，能够以高效和低发热的方式驱动LED灯泡。
4. 信号放大与开关电路：在信号控制和放大应用中，ZXMN10A11GTA也展现出优异的性能。

封装特性

该MOSFET采用SOT-223封装，体积小巧，适合表面贴装（SMD）技术。SOT-223的设计确保良好的散热性能，能够在较高功率情况下有效降低器件温度，提高了整体系统的可靠性和耐受性。

总结

ZXMN10A11GTA是一款高效、多功能的N沟道MOSFET，凭借其高电压和电流处理能力，出色的导通性能与宽广的工作温度范围，使其成为众多电子应用的理想选择。无论是在工业控制、消费电子还是汽车电子等领域，它都能满足多样化的功率管理需求，提供可靠的性能与效率，是智能电源和驱动设计中不可或缺的组件。