类型 | 1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 60V |
连续漏极电流(Id) | 4.3A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 190mΩ@4.5V,3.5A |
功率(Pd) | 16W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1V@2.2A |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 9nC | 输入电容(Ciss@Vds) | 637pF@30V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 53pF | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
ZXMP6A17GTA 是一款高性能的 P 型沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),由美台(DIODES)公司出品,广泛应用于电源开关、驱动电路和电池管理等领域。作为 SOT-223 封装的元器件,其因小型化和高效能特点,深受电子工程师的喜爱。该器件具备优异的热性能和可靠性,适用于多种工作环境和应用。
ZXMP6A17GTA 使用 SOT-223 封装,具有小体积和良好的热管理性能。其表面贴装设计(SMD)使得安装更加方便、牢固,忽略了传统插件式元件的空间浪费。在多层电路板设计中,能够有效减少PCB面积占用,提高整体设计的紧凑性。
ZXMP6A17GTA 广泛应用于如下领域:
在现代电子设备的设计中,选择合适的元器件至关重要。ZXMP6A17GTA 作为一款高性能的 P 型沟道 MOSFET,凭借其优越的电气特性和良好的热性能,满足了多个应用领域的需求,展现了其在电子行业的重要价值。设计工程师可以信赖 ZXMP6A17GTA 在各种复杂应用环境下的表现,为产品的性能优化提供强有力的支持。