晶体管类型 | PNP | 集电极电流(Ic) | 3.5A |
集射极击穿电压(Vceo) | 20V | 功率(Pd) | 19.6W |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 300@100mA,2V | 特征频率(fT) | 180MHz |
集电极截止电流(Icbo) | 100nA | 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) | 220mV@1A,50mA |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
ZXTD718MCTA 是一款由 DIODES(美台)公司生产的表面贴装型 PNP 双极型晶体管(BJT)。此器件专为需要高电流和高频性能的应用而设计,广泛应用于开关电源、音频放大器、功率放大器及其他相关电子设备中。该晶体管具备出色的电流增益、高集电极电流能力及低饱和压降等优点,使其在高效能电路设计中发挥关键作用。
晶体管类型: 2 PNP(双)
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 3.5A
电压 - 集射极击穿(最大值): 20V
饱和压降 (Vce):
电流 - 集电极截止(最大值): 100nA
直流电流增益 (hFE):
功率 - 最大值: 1.7W
频率 - 跃迁: 150MHz
工作温度: -55°C ~ 150°C
封装/外壳: 8-VDFN 裸露焊盘
ZXTD718MCTA 适合广泛的应用场景,包括但不限于:
ZXTD718MCTA 是一款具有高电流能力、低饱和压降及高频性能的 PNP 晶体管,凭借其优越的电气性能和宽广的工作温度范围,特别适合要求严格、环境变化大的应用场景。无论是在商业应用还是工业应用中,ZXTD718MCTA 都展现出其作为高性能元器件的优秀特质。对电路设计师来说,选择 ZXTD718MCTA 将大幅提升设计的效率和稳定性,为最终产品的成功奠定坚实的基础。