晶体管类型 | NPN | 集电极电流(Ic) | 5A |
集射极击穿电压(Vceo) | 60V | 功率(Pd) | 2.4W |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 100@1A,2V | 特征频率(fT) | 185MHz |
集电极截止电流(Icbo) | 50nA | 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) | 70mV@1A,100mA |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
ZXTN25060BZTA 是一款高性能 NPN 型金属氧化物半导体场效应晶体管 (BJT),广泛应用于开关电源、功率放大器以及各种电子电路设计中。该器件具有高集电极电流能力和出色的耐压特性,适合处理各种负载电流和电压应用。其小巧的 SOT-89 封装设计使其在空间受限的环境中也能高效工作。
ZXTN25060BZTA 可广泛应用于以下领域:
ZXTN25060BZTA 是一款功能强大且设计优良的 NPN 晶体管,凭借其出色的电气性能和适应性,成为工程师们在设计高效电路时的一种理想选择。无论是在要求高电流能力的应用,还是在对热稳定性和频率有要求的场合,该晶体管均能满足需求。DIODES(美台)提供的高品质保证进一步增强了此器件在市场上的竞争力,是现代电子设计中不可或缺的一部分。