DMP3007SCG-7 产品实物图片
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DMP3007SCG-7

商品编码: BM0000285811
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
VDFN33338
包装 : 
编带
重量 : 
0.092g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 2.4W 30V 50A 1个P沟道 VDFN3333-8
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
2.35
按整 :
圆盘(1圆盘有2000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥2.35
--
100+
¥1.81
--
1000+
¥1.57
--
20000+
产品参数
产品手册
产品概述

DMP3007SCG-7参数

类型1个P沟道漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)50A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)6.8mΩ@10V
功率(Pd)1W阈值电压(Vgs(th)@Id)1V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)31.2nC@4.5V输入电容(Ciss@Vds)2.826nF@15V
反向传输电容(Crss@Vds)305pF@15V工作温度-55℃~+150℃

DMP3007SCG-7手册

DMP3007SCG-7概述

DMP3007SCG-7 产品概述

一、产品简介

DMP3007SCG-7 是一款高性能的 P 沟道 MOSFET,专为需要高电流和中等电压的应用设计,具有优秀的导通性能和低导通电阻。该器件在行业中广泛应用于电源开关、马达驱动和其他功率管理应用。

二、基本参数

  • 漏源电压(Vdss): 30V
  • 连续漏极电流(Id): 50A(在 Tc=25°C 环境下)
  • 栅源极阈值电压(Vgs(th)): 3V @ 250µA
  • 漏源导通电阻(Rds(on)): 6.8mΩ @ 11.5A, 10V
  • 最大功率耗散: 2.4W(在 Ta=25°C 环境下)
  • 工作温度范围: -55°C ~ 150°C
  • 封装类型: V-DFN3338(8-PowerVDFN)

三、技术特性

DMP3007SCG-7 是通过先进的 MOSFET 技术制造而成,具有以下技术特性:

  1. 低导通电阻: 该器件在 10V 的驱动电压下,能够达到 6.8mΩ 的低导通电阻,提供高效的电流控制,减少能量损耗,适合高效电源设计。

  2. 高电流承载能力: 连续漏极电流高达 50A,意味着该 MOSFET 可以满足各类高功率应用的需求,保证在高负载条件下的可靠工作。

  3. 宽安全工作区域: 漏源电压为 30V,适合多种电源和驱动应用,确保在高电压条件下的稳定性和散热性能。

  4. 高温工作能力: 工作温度范围达到 -55°C 到 150°C,适合航空、汽车等特殊环境下的应用,确保设备在极端条件下也能正常工作。

  5. 表面贴装设计: VDFN 封装提供了良好的空间节省,适合现代电子设备的紧凑布局,同时优化了散热性能,提高了可靠性。

四、应用领域

DMP3007SCG-7 的广泛应用主要集中在以下几个领域:

  1. 高效电源管理: 微处理器电源、DC-DC 转换器以及各种电源开关电路,通过其低导通电阻特性,减少功耗,提高效率。

  2. 电动机驱动: 在电动机控制和驱动中,能够提供即时的高电流响应,适合用于电机控制和驱动电路,尤其是在快速开关和动态负载条件下。

  3. 汽车电子: 在包括电动车辆和传统汽车的各种应用中,帮助实现准确的电流控制和功率管理,以确保组合作用的运行稳定。

  4. 工业自动化及控制: 适合用于可编程逻辑控制器(PLC)和其他工业自动化设备的开关控制,保证高效率和低热量产生。

五、总结

DMP3007SCG-7 是一款集高功率、高效率和宽工作温度范围于一体的 P 沟道 MOSFET,具有低导通电阻和优良的电流承载能力,适合多种性能要求高的应用领域。其先进的封装设计使得其在当今小型化、高性能电子设备中表现尤为出色,是工程师们在设计电源管理和控制电路时的理想选择。无论是在电源供应、马达驱动,还是在特殊环境下的应用,DMP3007SCG-7 都能为设计提供可靠的解决方案。