类型 | 1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 30V |
连续漏极电流(Id) | 13A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 17mΩ@4.5V,10A |
功率(Pd) | 2.5W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 60.4nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 2.748nF |
反向传输电容(Crss@Vds) | 356pF | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
DMP3015LSSQ-13 是一款高性能的P沟道MOSFET(场效应管),由DIODES(美台)公司制造,专为电源管理和开关应用而设计。凭借其卓越的电流承载能力及低导通电阻特性,该器件适用于各种需要高效率和较高开关频率的电子电路,如DC-DC变换器、功率放大器及电机驱动等。
电气规格
驱动电压
栅极阈值电压(Vgs(th))
栅极电荷(Qg)
输入电容(Ciss)
功率耗散
工作温度范围
封装与安装
DMP3015LSSQ-13广泛用于以下场景:
DMP3015LSSQ-13是一款具有极高性价比的P沟道MOSFET,其低导通电阻、优越的电流处理能力和广泛的工作温度范围,使其在多个高效能电子应用中更具竞争力。结合其卓越的电气性能与DIODES的品质保证,使其成为设计工程师与电路开发者的理想选择。无论是在传统电源应用还是在新兴的绿色能源技术领域,DMP3015LSSQ-13都能够为设计者提供可靠的解决方案。