类型 | 1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 30V |
连续漏极电流(Id) | 2.7A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 122mΩ@10V,2.7A |
功率(Pd) | 1.08W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.1V@250uA |
输入电容(Ciss@Vds) | 227pF@10V | 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
DMP3160L-7 是一款高性能的 P 沟道 MOSFET,专为各种电子电路设计而优化,具有卓越的电气特性和优良的热管理能力。该器件的额定漏源电压(Vdss)为 30V,连续漏极电流(Id)为 2.7A(在 25°C 环境温度下),使其适合广泛的应用场景,如开关电源、DC-DC 转换器以及各种负载开关应用。
DMP3160L-7 采用 SOT-23 封装,这种表面贴装型设计适合自动化焊接,并为空间受限的设计提供了便利。封装尺寸小,能有效减轻系统的整体体积,同时增强了控制板的布局灵活性。
DMP3160L-7 适用于多种应用场景,包括但不限于:
与传统的 P 沟道 MOSFET 相比,DMP3160L-7 拥有更低的导通电阻和更高的电流承载能力,使其在高功率应用中的表现更加优异。同时,其相对低的阈值电压和极宽的工作温度范围能够满足多样化的设计需求,提供了更加灵活的电路设计选择。
综上所述,DMP3160L-7 是一款功能全面、性能卓越的 P 沟道 MOSFET,适合于各类电子应用。无论是在高频开关电源,直流-直流转换器,还是电机驱动及负载开关中,它都能够提供可靠且高效的性能,助力设计人员实现更高效、稳定的电子产品。