集射极击穿电压(Vceo) | 50V | 集电极电流(Ic) | 100mA |
功率(Pd) | 200mW | 直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 20@20mA,5V |
最小输入电压(VI(on)@Ic/Io,Vce/Vo) | 500mV@100uA,5V | 输出电压(VO(on)@Io/Ii) | 300mV@10mA,0.5mA |
输入电阻 | 2.2kΩ | 电阻比率 | 1 |
工作温度 | -40℃~+150℃ |
DTC123EUAT106产品概述
一、产品简介
DTC123EUAT106是一款由日本著名半导体制造商ROHM(罗姆)生产的数字晶体管,其采用表面贴装型(SMD)UMT3封装,具有优异的性能和适用性。该产品属于NPN预偏置晶体管,其设计旨在满足现代电子电路对小型化、高效率和可靠性的需求。
二、主要参数
电流与功率
DTC123EUAT106能够承受最大集电电流(Ic)为100mA,集电电流截止最大值为500nA。这使得该晶体管适用于各种需要控制电流的场合,特别是在低功耗应用中。最大功率为200mW,满足了大多数小型电子设备的要求。
电压特性
该元件的最大集电极-发射极击穿电压(Vce)达到50V,提供了一定的电压裕度,适合于大多数中等电压的电路架构,为可靠性提供了保障。
电气特性
DTC123EUAT106在不同Ib、Ic情况下,具有最大饱和压降(Vce(sat))为300mV(在500µA及10mA时),确保了在开关操作时的低功耗表现。此外,其在20mA和5V条件下的DC电流增益(hFE)的最小值为20,表明该晶体管在放大电流方面的良好特性。
电阻器配置
此产品内置了基极和发射极电阻器,均为2.2 kOhms,简化了电路设计,提高了电路的稳定性。
频率特性
此数字晶体管的跃迁频率达250MHz,适合于高频信号处理和开关电路,强调了该产品在高频应用场景中的可用性。
三、应用领域
DTC123EUAT106的诸多特性使其广泛适用于以下领域:
四、封装与安装
DTC123EUAT106采用UMT3封装,该封装形式体积小、重量轻,极大地提升了焊接效率,适合于自动化的表面贴装工艺(SMT)。这种封装还能有效地降低电路板的整体空间占用,实现更高的集成度与轻薄化设计。
五、总结
DTC123EUAT106是一款集高效率、低功耗与高频特性于一体的NPN数字晶体管,凭借其卓越的电气性能和便捷的封装形式,广泛适用于现代电子产品的设计与应用。如果您正在寻找一款可靠、高效的小型NPN晶体管,DTC123EUAT106将是一个值得考虑的方案。
ROHM的这款产品以其优异的性价比和强大功能,满足了市场对于高性能集成电路的需求。我们相信,凭借 DTC123EUAT106 的特性和应用广泛性,它将在数字电子及低功耗设备中扮演重要的角色。