属性 | 参数值 |
|---|---|
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 20V |
| 连续漏极电流(Id) | 200mA |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.2Ω@4.5V |
| 耗散功率(Pd) | 150mW |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
属性 | 参数值 |
|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 25pF |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 类型 | N沟道+P沟道 |
| 输出电容(Coss) | 10pF |
EM6M2T2R是一款符合现代电子设备需求的高性能场效应管(MOSFET),由知名知名半导体制造商ROHM(罗姆)生产。其封装形式为紧凑型的SOT-563或SOT-666,专为表面贴装(SMT)设计,适合自动化生产线的高效安装。该产品采用N沟道和P沟道双管结构,提供了灵活的电路设计方案,能够满足多种应用场景的需求。
EM6M2T2R采用EMT6封装,具有小型化与轻量化的优势,其SOT-563和SOT-666封装形式适应现代电子产品对空间和重量的严格要求。这种表面贴装型(SMT)设计不仅简化了安装过程,还高效地降低了电路板的布线复杂度。
EM6M2T2R被广泛应用于各类消费电子产品,如:
产品经过严格的测试以确保其在不同应用场景下的可靠性。高达150°C的工作温度可确保其在恶劣环境中的长期稳定运行。此外,ROHM作为知名的电子元器件供应商,提供优质的产品保障与技术支持。
EM6M2T2R是ROHM公司推出的一款出色的双沟道场效应管,具有优良的电性能和广泛的应用潜力。凭借其低导通电阻、适应高温、高功率的特性,使其成为当前市场上各种电子设备中不可或缺的重要元器件。无论是在精密的消费电子产品还是在普通的自动化控制系统中,EM6M2T2R都能为设计师提供可靠而灵活的解决方案。