EM6M2T2R 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

EM6M2T2R

商品编码: BM0000285837
品牌 : 
ROHM(罗姆)
封装 : 
EMT6
包装 : 
编带
重量 : 
0.01g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 150mW 20V 200mA 1个N沟道+1个P沟道 SOT-563(SOT-666)
库存 :
952(起订量1,增量1)
批次 :
2年内
数量 :
X
0.294
按整 :
圆盘(1圆盘有8000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.294
--
8000+
¥0.27
--
48000+
产品参数
产品手册
产品概述

EM6M2T2R参数

封装/外壳SOT-563,SOT-666FET类型N和P沟道
漏源极电压(Vdss)20V安装类型表面贴装(SMT)
FET 类型N 和 P 沟道FET 功能逻辑电平门
漏源电压(Vdss)20V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)200mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)1 欧姆 @ 200mA,4V不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)1V @ 1mA
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)25pF @ 10V功率 - 最大值150mW
工作温度150°C(TJ)供应商器件封装EMT6

EM6M2T2R手册

EM6M2T2R概述

产品概述:EM6M2T2R

1. 概述

EM6M2T2R是一款符合现代电子设备需求的高性能场效应管(MOSFET),由知名知名半导体制造商ROHM(罗姆)生产。其封装形式为紧凑型的SOT-563或SOT-666,专为表面贴装(SMT)设计,适合自动化生产线的高效安装。该产品采用N沟道和P沟道双管结构,提供了灵活的电路设计方案,能够满足多种应用场景的需求。

2. 关键规格

  • 漏源极电压(Vdss): 20V
  • 连续漏极电流(Id): 最大200mA(在25°C时)
  • 导通电阻(Rds(on)): 最大1欧姆(在200mA,Vgs为4V时)
  • 阈值电压(Vgs(th)): 最大1V(在1mA时)
  • 输入电容(Ciss): 最大25pF(在10V时)
  • 功率最大值: 150mW
  • 工作温度范围: 最高150°C(TJ)

3. 封装与安装

EM6M2T2R采用EMT6封装,具有小型化与轻量化的优势,其SOT-563和SOT-666封装形式适应现代电子产品对空间和重量的严格要求。这种表面贴装型(SMT)设计不仅简化了安装过程,还高效地降低了电路板的布线复杂度。

4. 应用场景

EM6M2T2R被广泛应用于各类消费电子产品,如:

  • 移动设备: 例如智能手机、平板电脑中的电源管理及信号切换电路。
  • 计算机外围设备: 包括USB设备、外部存储器和其他周边接口。
  • 汽车电子: 在汽车的电源转换、灯光控制及电动门控系统中应用。
  • 工业控制: 用于马达驱动及高频开关电源的设计。

5. 功能特点

  • 逻辑电平门功能: EM6M2T2R可在较低的控制电压下提供开关功能,极大增强了其在低功耗应用场景中的适用性。
  • 高效能与低损耗: 导通电阻低,意味其在工作中热量产生较少,提高了电路的能效与可靠性。
  • 高工作温度: 该器件的最高工作温度达到150°C,适合对于高温环境的应用。

6. 可靠性与耐久性

产品经过严格的测试以确保其在不同应用场景下的可靠性。高达150°C的工作温度可确保其在恶劣环境中的长期稳定运行。此外,ROHM作为知名的电子元器件供应商,提供优质的产品保障与技术支持。

7. 总结

EM6M2T2R是ROHM公司推出的一款出色的双沟道场效应管,具有优良的电性能和广泛的应用潜力。凭借其低导通电阻、适应高温、高功率的特性,使其成为当前市场上各种电子设备中不可或缺的重要元器件。无论是在精密的消费电子产品还是在普通的自动化控制系统中,EM6M2T2R都能为设计师提供可靠而灵活的解决方案。