封装/外壳 | SOT-563,SOT-666 | FET类型 | N和P沟道 |
漏源极电压(Vdss) | 20V | 安装类型 | 表面贴装(SMT) |
FET 类型 | N 和 P 沟道 | FET 功能 | 逻辑电平门 |
漏源电压(Vdss) | 20V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 200mA |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 1 欧姆 @ 200mA,4V | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 1V @ 1mA |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 25pF @ 10V | 功率 - 最大值 | 150mW |
工作温度 | 150°C(TJ) | 供应商器件封装 | EMT6 |
EM6M2T2R是一款符合现代电子设备需求的高性能场效应管(MOSFET),由知名知名半导体制造商ROHM(罗姆)生产。其封装形式为紧凑型的SOT-563或SOT-666,专为表面贴装(SMT)设计,适合自动化生产线的高效安装。该产品采用N沟道和P沟道双管结构,提供了灵活的电路设计方案,能够满足多种应用场景的需求。
EM6M2T2R采用EMT6封装,具有小型化与轻量化的优势,其SOT-563和SOT-666封装形式适应现代电子产品对空间和重量的严格要求。这种表面贴装型(SMT)设计不仅简化了安装过程,还高效地降低了电路板的布线复杂度。
EM6M2T2R被广泛应用于各类消费电子产品,如:
产品经过严格的测试以确保其在不同应用场景下的可靠性。高达150°C的工作温度可确保其在恶劣环境中的长期稳定运行。此外,ROHM作为知名的电子元器件供应商,提供优质的产品保障与技术支持。
EM6M2T2R是ROHM公司推出的一款出色的双沟道场效应管,具有优良的电性能和广泛的应用潜力。凭借其低导通电阻、适应高温、高功率的特性,使其成为当前市场上各种电子设备中不可或缺的重要元器件。无论是在精密的消费电子产品还是在普通的自动化控制系统中,EM6M2T2R都能为设计师提供可靠而灵活的解决方案。