类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 100V |
连续漏极电流(Id) | 2.6A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 125mΩ@10V |
功率(Pd) | 1.6W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.3V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 14nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 660pF@50V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 40pF@50V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
FDC3612 是一款由安森美(ON Semiconductor)生产的高性能 N 通道 MOSFET(场效应管),其设计旨在满足对高电压和高电流应用的需求。采用 SuperSOT-6 封装,该器件具备较小的体积和出色的散热性能,是现代电子设备中理想的开关组件。
FDC3612 的漏源电压(Vdss)高达 100V,使其非常适合用于电源管理、马达驱动和高压开关应用。同时,该器件的连续漏极电流(Id)达到 2.6A(在 25°C 环境温度下),表现出良好的电流承载能力。这意味着 FDC3612 能够处理相对较大的电流负载,适用于各种工业和消费类电子产品。
FDC3612 的 Rds(on) 在 10V 时的最大值为 125 毫欧,这在高频开关应用中可显著降低导通损耗,有助于提高电路的整体效率。此外,其 Vgs(th)值(栅极阈值电压)最大为 4V(在 250µA 下),确保该器件在较低的栅极电压下便能有效导通。
该产品的栅极电荷(Qg)最大为 20nC,在 10V 驱动条件下,确保了在高频操作下较低的开关损耗,适合用于需要快速开关的应用。此外,最大 Vgs(栅极-源极电压)为±20V,提供更高的设计灵活性和耐受能力,方便与各类控制电路配合使用。
FDC3612 的输入电容(Ciss)在 50V 下最大为 660pF,意味着它在低频率下具备较高的输入阻抗,能有效减少功率损失。其工作温度范围为 -55°C 至 150°C,适合于在严酷的环境中使用,具有非常坚固的耐用性。因此,该器件非常适合用于汽车电子、电源转换器、附加设备(如电池管理系统)及其它高温应用。
FDC3612 的最大功率耗散为 1.6W(在 25°C 下),保证在高负载条件下实现可接受温度升高。SuperSOT-6 封装类型不仅提供了良好的热管理特性,也支持表面贴装,适应当前电子产品对小型化与高密度集成的需求。
此外,该产品在稳定性和可靠性方面表现优越。其工作窗口宽广和合适的热特性,使其特别适合于对可靠性有高要求的嵌入式系统。
FDC3612 N 通道 MOSFET 将出色的电气性能与优越的可靠性结合,适用于多种电子设计需求。凭借其超值的价位与功能,在现代电子设备的设计中,它是一种值得信赖的选择。无论是在电源管理、马达控制还是高压开关应用中,FDC3612 都能为设计工程师提供灵活的解决方案。