FMMT458TA 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

FMMT458TA

商品编码: BM0000285855
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT23
包装 : 
编带
重量 : 
0.028g
描述 : 
三极管(BJT) 500mW 400V 225mA NPN SOT-23
库存 :
41133(起订量1,增量1)
批次 :
2年内
数量 :
X
0.353
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.353
--
3000+
¥0.33
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

FMMT458TA参数

晶体管类型NPN集电极电流(Ic)225mA
集射极击穿电压(Vceo)400V功率(Pd)500mW
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)100@50mA,10V特征频率(fT)50MHz
集电极截止电流(Icbo)100nA集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)200mV@20mA,2mA
工作温度-55℃~+150℃

FMMT458TA手册

FMMT458TA概述

FMMT458TA 产品概述

产品简介 FMMT458TA是一种高性能NPN型晶体管,专为高频应用设计,适用于广泛的电子电路中。它具有高达500mW的额定功率,能够承受225mA的集电极电流,且具有400V的集射极击穿电压,适合于需要高电压和电流控制的场景。该晶体管特别适用于开关电源、射频放大器及其他需要快速响应的电路。

关键特性

  • 额定功率: FMMT458TA具有额定功率500mW,适合各种低功耗应用与放大电路。
  • 集电极电流(Ic): 最大集电极电流为225mA,使其能够满足中等功率应用的需求。
  • 集射极击穿电压(Vce): 最大集射极击穿电压为400V,确保晶体管在高电压环境下的可靠性和稳定性。
  • 饱和压降: 在不同的集电极电流条件下,最大Vce饱和压降为500mV(在6mA及50mA时),这不仅提高了能量效率,还降低了热耗损。
  • 截止电流: 该器件在截止状态下的集电极电流最大值为100nA,确保了在关闭状态下极低的漏电流。
  • DC电流增益(hFE): 在50mA,10V条件下,DC电流增益的最小值为100,提供了良好的信号放大能力。
  • 频率响应: 最大跃迁频率达到50MHz,使其在高频应用中表现出色。

应用场景 FMMT458TA广泛应用于信号放大、开关电路、振荡器和射频电路等领域。由于其高增益和快速的开关能力,适合用于逻辑电路和数字电路的驱动。此外,其高击穿电压特性使得该器件能够被用于高电压应用中,如汽车电子和功率管理系统等。

环境和封装 FMMT458TA采用SOT-23封装,便于表面贴装(SMD),非常适合现代小型化的电子设备。其工作温度范围为-55°C至150°C,适用于极端环境下的应用需求。无论是工业控制、通讯设备还是消费电子产品,FMMT458TA均能在严苛条件下稳定运行。

供应商信息 该产品由DIODES(美台)公司提供,DIODES是一家在全球范围内广受认可的半导体制造商,致力于为客户提供高性能和高可靠性的电子元器件。选择FMMT458TA,不仅能够获得优质的产品保障,更能享受到该品牌带来的技术支持和后续服务。

总结 FMMT458TA是一款性能卓越的NPN型晶体管,适合各种高频与大功率应用,凭借其高额定功率、高电流承受能力及较小的饱和压降,为设计工程师提供了理想的解决方案。无论是在消费电子、工业控制还是通信设备中,均可充分发挥其性能优势。选择FMMT458TA,即选择了稳定性、可靠性与高性能的三合一解决方案。