晶体管类型 | NPN | 集电极电流(Ic) | 225mA |
集射极击穿电压(Vceo) | 400V | 功率(Pd) | 500mW |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 100@50mA,10V | 特征频率(fT) | 50MHz |
集电极截止电流(Icbo) | 100nA | 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) | 200mV@20mA,2mA |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
产品简介 FMMT458TA是一种高性能NPN型晶体管,专为高频应用设计,适用于广泛的电子电路中。它具有高达500mW的额定功率,能够承受225mA的集电极电流,且具有400V的集射极击穿电压,适合于需要高电压和电流控制的场景。该晶体管特别适用于开关电源、射频放大器及其他需要快速响应的电路。
关键特性
应用场景 FMMT458TA广泛应用于信号放大、开关电路、振荡器和射频电路等领域。由于其高增益和快速的开关能力,适合用于逻辑电路和数字电路的驱动。此外,其高击穿电压特性使得该器件能够被用于高电压应用中,如汽车电子和功率管理系统等。
环境和封装 FMMT458TA采用SOT-23封装,便于表面贴装(SMD),非常适合现代小型化的电子设备。其工作温度范围为-55°C至150°C,适用于极端环境下的应用需求。无论是工业控制、通讯设备还是消费电子产品,FMMT458TA均能在严苛条件下稳定运行。
供应商信息 该产品由DIODES(美台)公司提供,DIODES是一家在全球范围内广受认可的半导体制造商,致力于为客户提供高性能和高可靠性的电子元器件。选择FMMT458TA,不仅能够获得优质的产品保障,更能享受到该品牌带来的技术支持和后续服务。
总结 FMMT458TA是一款性能卓越的NPN型晶体管,适合各种高频与大功率应用,凭借其高额定功率、高电流承受能力及较小的饱和压降,为设计工程师提供了理想的解决方案。无论是在消费电子、工业控制还是通信设备中,均可充分发挥其性能优势。选择FMMT458TA,即选择了稳定性、可靠性与高性能的三合一解决方案。