类型 | 1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 40V |
连续漏极电流(Id) | 10.5A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 15mΩ@10V,10.5A |
功率(Pd) | 2.5W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 110nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 9.25nF |
反向传输电容(Crss@Vds) | 520pF | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
基本信息
IRF7240TRPBF 是一款高性能的 P沟道MOSFET,广泛应用于开关电源、直流电机驱动以及其他高效率功率管理应用中。该器件由领先的半导体制造商英飞凌(Infineon)提供,具有可靠的性能和优良的热管理能力,适合多种工业和消费电子应用。
参数特征
电气特性:
导通电阻(Rds(on)):
功率耗散:
驱动电压:
工作温度范围:
封装与安装:
应用场景
由于其可靠的电气特性和宽广的工作温度范围,IRF7240TRPBF 被广泛应用于:
总结
IRF7240TRPBF 以其优越的电气特性和高可靠性,成为了现代电子设计中不可或缺的元件。其出色的性能确保了在复杂和要求苛刻的环境中仍能稳定工作,是高效能电子产品的理想选择。无论是在消费电子、工业控制还是汽车电子领域,IRF7240TRPBF 都能够为设计师提供信心,推动创新与性能的提升。