类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 100V |
连续漏极电流(Id) | 97A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 7.2mΩ@10V,58A |
功率(Pd) | 230W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2V@150uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 120nC | 输入电容(Ciss@Vds) | 4.82nF |
反向传输电容(Crss@Vds) | 170pF | 工作温度 | -55℃~+175℃ |
IRFB4410ZPBF是一款高性能的N沟道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),专为高功率应用设计,具备卓越的电气特性和散热能力。此器件由国际知名的半导体制造商英飞凌(Infineon)生产,封装类型为TO-220AB,能够有效满足各种工业和商业应用的需求,特别是需要高效率、低导通损耗的领域。
额定电压与电流:
导通电阻:
功率耗散:
温度性能:
栅源阈值电压与驱动电压:
电容特性:
栅极电荷:
IRFB4410ZPBF的特性使其非常适合用于各种应用场景,包括:
IRFB4410ZPBF凭借其卓越的电气特性和宽广的工作温度范围,成为高性能电子设备中使用的理想MOSFET选择。无论是在工业自动化、消费电子、还是军事和航空航天应用,该器件都能确保长时间稳定工作并且有效降低能量消耗。其在高功率和高频应用中的表现,为设计师提供了灵活的解决方案,使得产品在市场中的竞争力得以提升。