类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 200V |
连续漏极电流(Id) | 130A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 8mΩ@10V,81A |
功率(Pd) | 520W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 3V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 241nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 10.72nF |
反向传输电容(Crss@Vds) | 160pF@10V | 工作温度 | -55℃~+175℃ |
一、产品简介
IRFP4668PBF 是一款高性能的 N 通道 MOSFET,采用金属氧化物半导体技术,广泛应用于功率转换、开关电源、电机驱动和电源管理等领域。该器件具有较高的漏源电压(Vdss)和连续漏极电流(Id),使其能够在极端的工作条件下保持稳定的性能。
二、关键特性
漏源电压(Vdss): 200V
电流容量: 130A(Tc)
导通电阻: 9.7毫欧 @ 81A,10V
栅极-源极电压(Vgs.max): ±30V
工作温度范围: -55°C ~ 175°C
功率耗散: 最大 520W(Tc)
输入电容(Ciss): 10720pF @ 50V
栅极电荷(Qg): 241nC @ 10V
封装类型: TO-247AC
三、应用领域
IRFP4668PBF 的应用非常广泛,特别是在以下领域中表现出色:
开关电源: 由于其高效率和高电压性能,该 MOSFET 是开关电源设计的理想选择。
电机驱动: 能够处理高电流的特性使其非常适合用于各种电机驱动系统,能够支持不同类型的直流和交流电机。
电源管理: 在大功率电源管理系统中,IRFP4668PBF 提供了高效率和高稳定性,确保电源的可靠工作。
汽车电子: 由于其高工作温度范围,该器件特别适合于汽车电子应用,比如电动机驱动、逆变器和电源分配系统。
四、总结
IRFP4668PBF 是一款技术先进的 N 通道 MOSFET,具备高电压、高电流和低导通电阻的特性,使其在各类高功率应用中表现出色。无论是在开关电源、电机驱动还是电源管理等领域,该产品均展现了优异的性能和可靠性。随着科技的不断进步,IRFP4668PBF 必将在更多先进的电子产品中发挥重要作用。其高效率及良好的散热性能,也使得设计师能在设计中更为灵活,为最终用户提供更加稳定和高效的电子解决方案。