IRLML2060TRPBF
IRLML2060TRPBF参数
| 漏源电压（Vdss） | 60V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 1.2A |
| 栅源极阈值电压 | 2.5V @ 25uA | 漏源导通电阻 | 480mΩ @ 1.2A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 1.25W | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1.2A（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 480 毫欧 @ 1.2A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 25µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | .67nC @ 4.5V | Vgs（最大值） | ±16V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 64pF @ 25V | 功率耗散（最大值） | 1.25W（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | Micro3™/SOT-23 | 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
IRLML2060TRPBF手册
IRLML2060TRPBF概述
产品概述：IRLML2060TRPBF
一、基本信息
IRLML2060TRPBF是一款高性能N沟道场效应管（MOSFET），专为高压和高频率应用而设计，广泛应用于功率管理、开关电源、DC-DC变换器以及电机控制等领域。作为英飞凌（Infineon）公司的一款优质产品，该器件具备出色的电气特性和高可靠性，适合于各种严苛的工作环境。
二、关键参数
漏源电压（Vdss）: 该器件的漏源电压达到60V，使其能够承受较高的电压，适合多种高压应用。
连续漏极电流（Id）: 在25°C环境温度下，IRLML2060TRPBF能够提供1.2A的连续漏极电流，确保在其典型应用中具有充足的电流输出能力。
导通电阻（Rds(on）: 在10V栅源电压和1.2A电流下，漏源导通电阻仅为480mΩ，这意味着器件在导通时能有效降低功耗，提高整体能效。
栅源阈值电压（Vgs(th）: 该器件的栅源极阈值电压为2.5V，适合用于低电压驱动电路，提供更灵活的使用范围。
栅电荷（Qg）: 最大栅电荷为0.67nC @ 4.5V，显示出其快速开关特性，使得该器件在高频应用中表现优越。
功率耗散: 最大功率耗散为1.25W（在环境温度25°C下），确保器件在特定条件下稳定运行。
工作温度范围: IRLML2060TRPBF的工作温度范围为-55°C至150°C，适合在极端环境中使用，提高了器件的适用性和可靠性。
三、封装信息
IRLML2060TRPBF采用表面贴装SOT-23封装，尺寸小巧，为设计紧凑的电路提供了便利。其封装类型为Micro3™，符合现代电子产品对轻薄短小的追求。同时，TO-236-3和SC-59的兼容性也使得其在旧版设计中仍然应用广泛。
四、应用领域
由于其优异的电气性能和高可靠性，IRLML2060TRPBF广泛应用于以下领域：
开关电源（SMPS）: 该MOSFET适用于高效能的DC-DC变换器，以提高能量转换效率。
电子负载调节: 在各种电子负载应用中，IRLML2060TRPBF能够迅速响应负载变化，提高系统的稳定性和可靠性。
电机控制: 在无刷直流电机和步进电机控制领域，IRLML2060TRPBF能够提供低开关损耗和高效驱动能力。
LED驱动: 在LED照明的驱动电路中，MOSFET能够实现高效的电源管理，延长LED的使用寿命。
移动设备: 由于其小巧的封装和高效能，该器件还适用于移动设备的功率管理，提高整体能效和电池续航能力。
五、总结
IRLML2060TRPBF是英飞凌公司推出的一款高性能N沟道MOSFET，具备理想的电气特性、稳健的工作温度范围，以及多种应用场景的适应性。本器件因其高效率、低功耗特性以及小巧的封装，成为现代电源管理和开关应用不可或缺的组成部分。无论是在消费电子、工业控制还是汽车电子领域，IRLML2060TRPBF都能够助力设计工程师实现更高效和可靠的电路设计。